近几年,国内IGBT技术发展也比较快,国外厂商垄断逐渐被打破,已 取得一定的突破,国内IGBT行业近几年的发展大事记: (1)2011年12月,北车西安永电成为国内第一个、世界第四个能够 封装6500V以上IGBT产品的企业。 (2)2013年9月,中车西安永电成功封装国内首件自主设计生产的 50A/3300V IGBT芯片; (3)2014年6月,中车株洲时代推出全球第二条、国内首条8英寸 IGBT芯片专业生产线投入使用; (4)2015年10月,中车永电/上海先进联合开发的国内首个具有完全 知识产权的6500V高铁机车用IGBT芯片通过高铁系统上车试验; (5)2016年5月,华润上华/华虹宏力基于6英寸和8英寸的平面型和 沟槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已进入量产 2 IGBT的工作原理
IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同,是一种场控器件,
其开通和关断由栅射极电压u GE 决定;
导通:u GE 大于 开启电压U GE(th) 时,MOSFET内形成沟道,为晶体管提供基极
电流,IGBT导通;
关断:栅射极间施加反压或不加信号时,MOSFET内的沟道消失,晶体管的
基极电流被切断,IGBT关断。
详情见附件。。。。。。
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