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众所周知, 电容, 两边加上电压, 就能开始充电储存电荷. 理想状态下, 就是一个C:
可现实永远是残酷的, 你会发现你所做的一切几乎都是和在这些非理想的问题作斗争. ESR(Equivalent Series Resistance): 如果你去看电容的datasheet(比如去Murata的关网随便找一个), 每个非理想电容都会有一个叫ESR的指标. 顾名思义, 电容本身会有一个等效串联电阻, 那么电容的等效电路就变成了: 这个电阻一般有多大呢? 通常是在100mΩ ~ 1000mΩ不等, 具体数值大小根据电容种类和电容值大小来定, 这里先不细说, 我会在之后比较不同电容的区别时详细讲解. 那么肯定会有人问这么小的串联电阻, 会有什么大的影响么? 不好意思, 还真会有, 在要求极其苛刻情况下还会把两个电容并联以减小ESR. 比如 LDO 的output capacitor, 如果这个ESR过大或者过小, 很有可能会引起LDO的stability问题. 另一方面, 当电容被用做电源的decoupling cap时, 你希望的是这个R越小越好. 当电容被用做的decoupling cap时, 其作用是为了提供高频的电流供给. 假如你的芯片电源会有一个非常短暂的100mA的peak current, 而且这个电流几乎是你的decoupling cap来提供的, 如果你的电容ESR有1Ω,想象一下100mA的电流流过这个电阻, 到达另一端的时候, 已然有了100mV的压降了. 所以一句话: 通常情况下, 你希望这个电阻越小越好. 除了用于例如LDO的输出电容, ESR的大小会影响到LDO的稳定性, 但这个问题说来话长, 有机会单独开一篇细讲. 说完R, 我们来讲讲L. ESL(Equivalent Series Inductance): 很多情况下这是一个往往被人忽略的一个指标, 你经常会看到ESR的spec, 很多电容的datasheet往往都没有ESL这个spec在里面. 但是随着信号频率的越来越高, ESL是完全不能被忽视的. 既然如此, 电容的等效电路又要变成这样: ESL主要影响的是电容的高频特性. 通常这个ESL是很小的, 即便如此, 当信号的频率高到一定程度, 这个L的阻抗会变得不可忽略, 当频率继续升高, Z_{L} 会逐渐的变大, 因此电容就开始逐渐的开始看起来像一个电感. 同样的情况, decoupling cap其中一个重要的作用是用来提供瞬时的大电流的, 而这里的L会尝试阻止电流的瞬时变化, 因而如果ESL太大, 会使得decoupling cap的作用大大降低, 尤其是在高频的情况下. 上图来自: 通常情况下, 当你打开一个电容的datasheet, 你会找到如上图所示的一个电容阻抗 v.s. 频率的一个图表. 这张图清楚的表示了ESR和ESL是如何改变理想电容的阻抗v.s. 频率的曲线的. (mbbeetchina) |
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