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在开始介绍 DDR 之前，首先要了解内存的功用为何。大多数的 3C 产品在运作时，会将正在使用的程式存放到一个短期数据储存区，该空间即为内存，所以有了内存的运用能使 3C 产品更快速的切换程序以方便使用。
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内存的历史
图一为内存的种类及发展史： DRAM 中又以 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）同步动态随机存取内存在近几年来最广为使用，SDRAM 最重要的就是能够“同步”内存与处理器（CPU）的频率，让 SDRAM 频率可超过 100MHz 使传输数据更能实时到位。SDRAM 亦可称为 SDR SDRAM（Single Data Rate SDRAM）。 DDR（Double Data Rate）其实指的是 DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM），SDRAM 及 DDR 主要差异有三点整理如下： 目前负责订定 DDR 规范的协会为 JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council），但现在它的全名则是 JEDEC 固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）。 |
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DDR 历代规格介绍
有了内存的认识之后，这边将历代 DRAM 的规格整理如下： 历代演进除了传输速率越来越快还有工作电压越来越低，内存Topology在DDR2之前Command/Address和Clock用T-Branch分支方式传给每一个内存颗粒，但在DDR3之后 Command/Address和Clock则改用 Fly-by串列给每一个内存颗粒。 另外内存链接形式在 DDR3 之前采用处理器（CPU）同时与多个内存芯片控制器链接的“多重分支”，但在DDR4 之后每个内存芯片控制器有单独与 CPU 链接的通道，即为“点对点”的连结形式。 |
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DDR 主要讯号介绍
DDR 的讯号类型主要分为以下五种如下： Note： 读取（Read）时，DQ 和 DQS 为同相位。写入（Write）时，DQ 和 DQS 会有 90 度的相位差。 |
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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