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ATtiny2313包含128字节的EEPROM数据存储器。它是作为一个独立的数据 可以按字节读写。EEPROM的寿命至少为 100,000 次擦除周期。EEPROM 的访问由地 址寄存器、数据寄存器和控制寄存器决定。详见 EEPROM的串行数据下载。
EEPROM 读/ 写访问 EEPROM 的访问寄存器位于I/O 空间。 EEPROM的写访问时间由Table 1给出。自定时功能可以让用户软件监测何时可以开始写 下一字节。用户操作 EEPROM 需要注意如下问题:在电源滤波时间常数比较大的电路 中,上电 下电时 VCC 上升/下降速度会比较慢。此时 CPU 可能工作于低于晶振所要求 的电源电压。请参见 P19“ 防止 EEPROM 数据丢失 ” 以避免出现 EEPROM 数据丢失的问题。 为了防止无意识的 EEPROM 写操作,需要执行一个特定的写时序。详见关于 EEPROM 控制寄存器的说明。 执行EEPROM 读操作时, CPU 会停止工作4 个周期,然后再执行后续指令;执行EEPROM 写操作时, CPU 会停止工作2 个周期,然后再执行后续指令。 EEPROM 地址寄存器-EEAR · Bits 7– Res: 保留 保留位,读操作返回值为零。 · Bits 6..0 – EEAR6..0: EEPROM 地址 EEPROM地址寄存器EEARL指定了128字节的EEPROM EEPROM地址是线性的, 从 0 到 127。EEAR 的初始值没有定义。在访问 EEPROM 之前必须为其赋予正确的数据。 EEPROM 数据寄存器 - EEDR · Bits 7..0 – EEDR7.0: EEPROM 数据 对于 EEPROM 写操作, EEDR 是需要写到 EEAR 单元的数据;对于读操作, EEDR 是 从地址 EEARL 读取的数据。 EEPROM 控制寄存器- EECR · Bits 7..6 – Res: 保留 保留位,读操作返回值为零。 · Bit 5,4 – EEPM1与 EEPM0: EEPROM编程模式位 设置编程模式位定义当对EEPE写入时触发哪种编程方式。可能在一个时钟周期中数据编 程 (擦除旧值写入新值) 或将擦除与写操作分为两步。不同模式的编程时间见 Table 1。当 EEPE 置位,对 EEPMn 的写操作将忽略。复位时,除非 EEPROM 处于编程状态,否则 EEPMn 位将复位为 0b00。 · Bit 3 – EERIE: EEPROM 准备好中断使能 若 SREG 的 I 为 “1”,则置位 EERIE 将使能 EEPROM 准备好中断。清零 EERIE 则禁止 此中断。当 EEWE清零时 EEPROM 准备好中断即可发生。 · Bit 2 – EEMPE: EEPROM 主机编程使能 EEMPE 位决定 EEPE 写入 “1” 是否有效。当 EEMPE为 ”1“ 时,在四个时钟周期内设置 EEPE 将会在 EEPROM 指定的位置编程;若 EEMPE为 ”0“,设置 EEPE 无效。当 EEMPE 由软件写入 “1”,则在四个时钟周期后由硬件清零。 · Bit 1 – EEPE: EEPROM 编程使能 EEPE 为 EEPROM 的编程使能信号。当 EEPE 为 ”1“,通过 EEPMn 位的设置,将会对 EEPROM编程。在EEPE写入逻辑”1“前,EEMPE位必须写入”1“,否则不会出现EEPROM 写操作。当写访问时间结束,EEPE 位由硬件清零。当 EEPE 置位, CPU 在执行指令前 终止两个时钟周期。 · Bit 0 – EERE: EEPROM读使能 EERE为EEPROM读操作的使能信号。当EEPROM地址设置好之后,需置位EERE以便将 数据读入 EEARL。EEPROM 数据的读取只需要一条指令,且无需等待。读取 EEPROM 后 CPU 要停止 4 个时钟周期才可以执行下一条指令。用户在读取 EEPROM 时应该检测 EEPE。如果一个写操作正在进行,就无法读取 EEPROM,也无法改变寄存器 EEAR。 |
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基本字节编程
使用基本字节编程是最简单的模式。当对 EEPROM 写入一个字节,用户必须将地址写入 EEARL寄存器,将数据写入EEDR寄存器。若EEPMn位为零,对 EEPE的写操作 (在对 EEMPE写完后的四个时钟周期内)将触发擦除/写入操作。擦除与写入操作在一个时钟周 期内完成,整个编程时间见 Table 1。 EEPE 位会保持置位,直到擦除与写入操作完成。 而当芯片处于编程状态时,不会进行其他 EEPROM操作。 分离字节编程 可以将擦除与写入操作分为两个周期。若系统需要对一些有限的时间缩短访问时间 ( 尤其 若电源电压下降 ) 该方式有效。使用该方式时,必须在写入操作前先进行擦除操作。但由 于擦除与写入操作是分离的,有可能当系统允许进行时间临界操作时 ( 尤其在掉电后 ) 进行擦除操作。 擦除 擦除一个字节,地址必须写入EEARL。若EEPMn为0b01,对EEPE写入 (在对EEMPE 写完后的四个时钟周期内 ) 将只触发擦除操作 ( 编程时间见 Table 1)。EEPE 位会保持到 擦除操作完成。而当芯片处于编程状态时,不会进行其他 EEPROM操作。 写入 写入时,用户必须将地址写入EEAR,将数据写入EEDR。若 EEPMn为0b10,对EEPE 写入 (在对EEMPE写完后的四个时钟周期内)将只触发写入操作(编程时间见Table 1)。 EEPE 位会保持到擦除操作完成。若在写入前数据没有擦除,则认为写入数据丢失。当ATtiny2313处于编程状态时,不会进行其他 EEPROM操作。 EEPROM访问使用标定振荡器定时。振荡器频率见P25“振荡器标定寄存器 – OSCCAL”。 下面ATtiny2313的代码分别用汇编和 C 函数说明如何实现 EEPROM 的擦除、写入或基本写入。在此假设中断不会在执行这些函数的过程当中发生。 汇编代码例程 EEPROM_write: ; 等待上一次写操作结束 ***ic EECR,EEPE rjmp EEPROM_write ; 设置编程模式 ldi r16, (0 《《 EEPM1)|(0 《《 EEPM0) out EECR, r16 ; 设置地址寄存器 r17 out EEARL, r17 ; 将数据写入数据寄存器 (r16) out EEDR,r16 ; 置位 EEMWE ***i EECR,EEMWE ; 置位 EEWE以启动写操作 ***i EECR,EEWE ret C 代码例程 void EEPROM_write(unsigned char ucAddress, unsigned char ucData) { /* 等待上一次写操作结束 */ while(EECR & (1 《《 EEPE )) ; /* 设置编程模式 */ EECR = (0 《《 EEPM1 )|(0 》》 EEPM0 ) /* 设置地址与数据寄存器 */ EEARL = ucAddress; EEDR = ucData; /* 置位 EEMWE */ EECR |= ( 1 《《 EEMWE ); /* 置位 EEWE以启动写操作 */ EECR |= ( 1 《《 EEWE ); } 下面的例子说明如何用汇编和C 函数来读取EEPROM,在此假设中断不会在执行这些函数的过程当中发生。 EEPROM_read: ; 等待上一次写操作结束 ***ic EECR,EEPE rjmp EEPROM_read ; 设置地址寄存器 r17 out EEARL, r17 ; 设置 EERE以启动读操作 ***i EECR,EERE ; 自数据寄存器读取数据 in r16,EEDR ret C 代码例程 unsigned char EEPROM_read(unsigned char ucAddress) { /* 等待上一次写操作结束 */ while(EECR & (1《《 EEPE)) ; /* 设置地址寄存器 */ EEARL = ucAddress; /* 设置 EERE以启动读操作 */ EECR |= (1《《 EERE); /* 自数据寄存器返回数据 */ return EEDR; } 防止EEPROM数据丢失 若ATtiny2313电源电压过低,CPU 和 EEPROM有可能工作不正常,造成 EEPROM数据的毁坏 ( 丢 失 )。这种情况在使用独立的 EEPROM 器件时也会遇到。因而需要使用相同的保护方案。 由于电压过低造成 EEPROM 数据损坏有两种可能:一是电压低于 EEPROM 写操作所需 要的最低电压;二是 CPU 本身已经无法正常工作。 EEPROM 数据损坏的问题可以通过以下方法解决: 当电压过低时保持 AVR RESET 信号为低。这可以通过使能芯片的掉电检测电路 BOD 来 实现。如果 BOD 电平无法满足要求则可以使用外部复位电路。若写操作过程当中发生了 复位,只要电压足够高,写操作仍将正常结束。 |
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