[问答]

EEPROM数据存储器操作方式有哪几种？

1524 EEPROM

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 AVR系列单片机有哪几种存储器？ AVR系列单片机在程序中如何访问FLASH程序存储器？ EEPROM数据存储器操作方式有哪几种？ 0
2021-9-23 08:13:11　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × liutiefu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kasdlak 该类别下有 11 个回答。邀请回答 yuxiangxyz 该类别下有 11 个回答。邀请回答 szj0213 该类别下有 10 个回答。邀请回答 dfgsdf 该类别下有 10 个回答。邀请回答 uuwyfsdfsf 该类别下有 10 个回答。邀请回答 fansz 该类别下有 10 个回答。邀请回答 gXDhn 该类别下有 9 个回答。邀请回答剪刀脚该类别下有 9 个回答。邀请回答胡扯123 该类别下有 9 个回答。邀请回答乔伊斯e 该类别下有 9 个回答。邀请回答山中老虎该类别下有 9 个回答。邀请回答哥儿该类别下有 9 个回答。邀请回答悬崖勒马2 该类别下有 9 个回答。邀请回答邓长生该类别下有 8 个回答。邀请回答程序诗人该类别下有 8 个回答。邀请回答 lining870815844 该类别下有 8 个回答。邀请回答 pingnai 该类别下有 8 个回答。邀请回答 fhdgxfvx 该类别下有 8 个回答。邀请回答楼斌该类别下有 8 个回答。邀请回答举报杨静相关推荐 • FLASH和OTP存储器的功耗模式有哪几种状态？ 1647 • AVR单片机内部有哪几种类型的被独立编址的存储器 1151 • 单片机的数据存储手段有哪几种？RAM在单片机里的用途有哪些？ 1750 • 存储管理的存储方式有哪几种呢？分别有何优缺点呢 2561 • pcb的组织方式有哪几种 7677 • 数据的通信方式/同步方式有哪几种？ 5920 • 串口发送数据的方式有哪几种？ 1118 • 单片机的下载方式有哪几种？ 2035 • 线程的同步方式有哪几种？ 998 • 数据传输方式有哪几种？ 1483 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 AVR 系列单片机内部有三种类型的被独立编址的存储器，它们分别为：Flash 程序存储器、内部SRAM 数据存储器和EEPROM 数据存储器。 Flash 存储器为1K～128K 字节，支持并行编程和串行下载,下载寿命通常可达10,000 次。由于AVR 指令都为16 位或32 位，程序计数器对它按字进行寻址，因此FLASH 存储器按字组织的，但在程序中访问 FLASH 存储区时专用指令LPM 可分别读取指定地址的高低字节。寄存器堆（R0～R31）、I/O 寄存器和SRAM 被统一编址。所以对寄存器和I/O 口的操作使用与访问内部SRAM 同样的指令。32 个通用寄存器被编址到最前,I/O 寄存器占用接下来的64 个地址。从0X0060 开始为内部SRAM。外部SRAM 被编址到内部SRAM 后。 AVR 单片机的内部有64～4K 的EEPROM 数据存储器，它们被独立编址，按字节组织。擦写寿命可达100，000 次。 1. I/O 寄存器操作 I/O 专用寄存器（SFR）被编址到与内部SRAM 同一个地址空间，为此对它的操作和SRAM 变量操作类似。 SFR 定义文件的包含： #include io.h 文件在编译器包含路径下的avr 目录下，由于AVR 各器件间存在同名寄存器地址有不同的问题，io.h 文件不直接定义SFR 寄存器宏，它根据在命令行给出的 –mmcu 选项再包含合适的 ioxxxx.h 文件。在器件对应的ioxxxx.h 文件中定义了器件SFR 的预处理宏，在程序中直接对它赋值或引用的方式读写SFR，如： PORTB=0XFF; Val=PINB; 从io.h 和其总包含的头文件sfr_defs.h 可以追溯宏PORTB 的原型在io2313.h 中定义： #define PORTB _SFR_IO8(0x18) 在sfr_defs.h 中定义： #define _SFR_IO8(io_addr) _MMIO_BYTE((io_addr) + 0x20) #define _MMIO_BYTE(mem_addr) ((volatile uint8_t )(mem_addr)) 这样PORTB=0XFF; 就等同于 (volatile unsigned char )(0x38)=0xff; 0x38 在器件AT90S2313 中PORTB 的地址对SFR 的定义宏进一步说明了SFR 与SRAM 操作的相同点。关键字volatile 确保本条指令不会因C 编译器的优化而被省略。 2. SRAM 内变量的使用一个没有其它属性修饰的 C 变量定义将被指定到内部SRAM，avr-libc 提供一个整数类型定义文件inttype.h，其中定义了常用的整数类型如下表：定义值长度（字节）值范围 int8_t 1 -128～127 uint8_t 1 0～255 int16_t 2 -32768～32767 uint16_t 2 0～65535 int32_t 4 -2147483648～2147483647 uint32_t 4 0～4294967295 int64_t 8 -9.2210^18～-9.2210^18 uint64_t 8 0～1.84410^19 根据习惯，在程序中可使用以上的整数定义。定义、初始化和引用如下示例： uint8_t val=8; 定义了一个SRAM 变量并初始化成8 val=10; 改变变量值 const uint8_t val=8; 定义SRAM 区常量 register uint8_t val=10; 定义寄存器变量 3. 在程序中访问FLASH 程序存储器 avr-libc 支持头文件：pgmspace.h #include < avr/pgmspace.h > 在程序存储器内的数据定义使用关键字 __attribute__((__progmem__))。在pgmspace.h 中它被定义成符号 PROGMEM。 (1)． FLASH 区整数常量应用定义格式：数据类型常量名 PROGMEM = 值 ; 如： char val8 PROGMEM = 1 ; int val16 PROGMEM = 1 ; long val32 PROGMEM =1 ; 对于不同长度的整数类型 avr-libc 提供对应的读取函数： pgm_read_byte(prog_void addr) pgm_read-word(prg_void addr) pgm_read_dword(prg_void addr) 另外在pgmspace.h 中定义的8 位整数类型 prog_char prog_uchar 分别指定在FLASH 内的8 位有符号整数和8 位无符号整数。应用方式如下： char ram_val; //ram 内的变量 const prog_char flash_val = 1; //flash 内常量 ram_val=pgm_read_byte(&flash_val); //读flash 常量值到RAM 变量对于应用程序FLASH 常量是不可改变的，因此定义时加关键字const 是个好的习惯。 (2). FLASH 区数组应用：定义： const prog_uchar flash_array[] = {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9}; //定义另外一种形式 const unsigned char flash_array[] RROGMEM = {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9}; 读取示例： unsigend char I, ram_val; for(I=0 ; I<10 ;I ++) // 循环读取每一字节 { ram_val = pgm_read_byte(flash_array + I); … … //处理 } (3)．FLASH 区字符串常量的应用全局定义形式： const char flash_str[] PROGMEM = “Hello, world!”; 函数内定义形式： const char flash_str = PSTR(“Hello, world!”); 以下为一个FLASH 字符串应用示例 #include #include #include const char flash_str1[] PROGMEM = “全局定义字符串”; int main(void) int I; char flash_str2=PSTR(“函数内定义字符串”); while(1) { scanf(“%d”,&I); printf_P(flash_str1); printf(“/n”); printf_P(flash_str2); printf(“/n”); } } 4. EEPROM 数据存储器操作 #include 头文件声明了avr-libc 提供的操作EEPROM 存储器的API 函数。这些函数有： eeprom_is_ready() //EEPROM 忙检测（返回EEWE 位） eeprom_busy_wait() //查询等待EEPROM 准备就绪 uint8_t eeprom_read_byte (const uint8_t addr) //从指定地址读一字节 uint16_t eeprom_read_word (const uint16_t addr) //从指定地址一字 void eeprom_read_block (void buf, const void addr, size_t n) //读块 void eeprom_write_byte (uint8_t addr, uint8_t val) //写一字节至指定地址 void eeprom_write_word (uint16_t addr, uint16_t val) //写一字到指定地址 void eeprom_write_block (const void buf, void addr, size_t n)//写块在程序中对EEPROM 操作有两种方式方式一：直接指定EERPOM 地址示例： #include #include int main(void) { unsigned char val; eeprom_busy_wait(); //等待EEPROM 读写就绪 eeprom_write_byte(0,0xaa); //将0xaa 写入到EEPORM 0 地址处 eeprom_busy_wait(); val=eeprom_read_byte(0); //从EEPROM 0 地址处读取一字节赋给RAM 变量val while(1); } 方式二：先定义EEPROM 区变量法示例： #include #include unsigned char val1 __attribute__((section(".eeprom")));//EEPROM 变量定义方式 int main(void) { unsigned char val2; eeprom_busy_wait(); eeprom_write_byte (&val1, 0xAA); eeprom_busy_wait(); val2 = eeprom_read_byte(&val1); while(1); } 在这种方式下变量在EEPROM 存储器内的具体地址由编译器自动分配。相对方式一，数据在EEPROM 中的具体位置是不透明的。为EEPROM 变量赋的初始值，编译时被分配到.eeprom 段中,可用avr-objcopy 工具从.elf 文件中提取并产生ihex 或binary 等格式的文件。

2021-9-23 11:35:27 评论举报陈瑞微