MB9BF568工作闪存写入超时该怎么办？

在那里，
我正在编写一个应用程序的WYZBEE板从红松信号。他们使用来自FM4的M9BFX6XM家族的M9MF568。对于我的应用程序，我试图在非易失性工作快闪存储器中存储帐户凭据和无线LAN配置。
一个完整或扇区擦除后的工作快闪写入到闪光灯是没有问题的。但是，如果我试图再次写入相同的内存地址，操作超时，信息不正确存储。大多数时候，只有半字节的第一个字节被写入，而第二个字节只是垃圾。
这是虫子，还是我做错了什么？是否有工作示例（源代码）？
我正在使用这个代码：
UINT32×ToReTytoToA非易失性（易失性UtiN16T*P*STARTHOLD地址，UINT16YT*P*DATA，UINT1616T LINTHOTHINYING字节）{int I，长度；INT32×T状态＝WFY成功；长度＝LangthyIn字节/ 2；对于（i＝0；i＆lt；长度；i++）状态＝WrreWixLoWordWorddtoTy非易失性（PyStaskLoad + i，*（PyDATA＋i））；返回状态；} UntIt3xt TrimeWalthWorddtoTo非易失性（易失性UTI1616T*PyDATAAL地址，UTI1616T DATAAL半字）{Unt160t操作}验证＝0；易失UTI1616T*PY地址；UTI1616T HWYSESEQL位；易失UT88T*ReGiWWASZR；char Debug Gmail（64），DeCasasx二进制（9）；//启用CPU编程模式ReGyWFASZR＝＆；WAFSZR；* ReGuffWasZr= 0x00；W/FASZR；//写入命令序列/ /用于真正的连续写入/ /第一写入PyAdv=＝（未签名long）和；工作FLASH CMDXBASE地址> 0x000 000 AA8UL；* PyAdabess＝0x00 A1；//第二写PyAdv= =（未签名long）和工作Flash000 055 4UL；* pAdNOTE＝0x00 55；//第三写PyAdvess =（未签名long）和工作FLASH CMDXBASE地址> 0x000 000 AA8UL；*写数据*PyDATAAdAd= DATAL半字节Word；//哑读HWYSEQQBITS＝*PyDATAY地址；//SAMFETF（Debug Gmail），写入后第一次读取数据地址：b%snr，DEC2Bin（DeCasasx二进制，HWYSEQQY位，8））；//WBJDebug（Debug GyMead）；（WFSTR＆AMP；WFSTRADRYDYMASE）和/或操作：在地址上执行读访问以获得HWYSESEQBIT位HWYSESEQBITS＝*PyDATAY地址；//SAMFETF（Debug Gmail，HWYSEQQY位：B%SNR），DEC2Bin（DEXASASL二进制，HWYSEQQY位，8））；//WBJEdbug（Debug Gmail）；//如果数据读取的位7（HWYSEQQbit）等于写入数据的比特7，则完成（如果）（HWYSEQQBITS；HWYSEQQBITDPOLYMASE）= =（DATAYLIQUAL WORD和HWYSEQQBITDPOLYMASE）{中断；//WBJDebug（“写入完成”）！nr）；中断；/todo:中止！} //如果写入过程不完整，则检查是否超过了最大时间（HWYSESEQBITS和HWYSEQQBITTYLVIVAX掩码）{//OffualToSuffial+++；SimultFig（Debug Gmail，写超时写入地址：%08xnr），pYDATAY地址）；WBJDebug（Debug Gmail）；} } //返回到CPU ROM模式* ReGixWasZr= 0x01；WAFSZR；//SAMFETF（Debug Gmail，“内部检查WFASZR:%D\NR”，*ReGueWasFZR）；//WBJDebug（Debug Gmail）；返回操作验证；