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电子发烧友论坛|
嗨，Subashbabu，
我为这混乱感到抱歉。请找到附带的文件与此互动。我们已经更新了这篇文章，并将尽早在Web上发布。这篇文章的示意图来自我们的内部表征委员会。如果你有进一步的疑问，请告诉我们。 谢谢 QDRY-ReFixDealKy.K.B.PDF 317.8 K |
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嗨，普里特
内存已经放在黑板上了。如何改变输出电阻。正如你所说的，输入电阻接近50欧姆，但问题是考虑输出电阻，因为根据ODT的方程式使它能提供35欧姆和15欧姆，所以我们必须增加一系列电阻。有没有其他方法可以改变电阻。 输出电阻指的是在存储器或FPGA附近放置的装置。您所附的DOC几乎是清晰的，谢谢您。 |
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嗨，Subashbabu，
串联电阻（对于输出驱动器）应该靠近存储器，因为FPGA的跟踪阻抗和输入阻抗将为50欧姆。因此，这是为了使存储器输出阻抗为50（35±15）欧姆。 如果FPGA输入/输出和跟踪阻抗为50欧姆，那么要匹配这个阻抗值，我们需要有内存RQ＝175欧姆，ODT引脚=低和15Ω系列电阻输出驱动器。这样，我们的记忆将匹配输入和输出阻抗与跟踪和FPGA阻抗。如果跟踪和FPGA输入/输出阻抗值是不同的值（不是50欧姆），那么我们可以调整RQ值，使其与跟踪和FPGA阻抗相匹配。 谢谢 |
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HQDLL+内存工作频率为280兆赫兹。当我的输入端为109欧姆，输出为36欧姆。我已经取得了RQ＝182欧姆（我没有增加串联电阻）。
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