发 帖  
原厂入驻New
[问答]

分压电路MOS管容易损坏,请问设计有什么问题?

1526 电路设计 MOS管
分享
28V分压后得到3.65V作为栅极导通的电压,现在发现这个mos管特别容易坏掉,DS无法导通,正常测量+12V_SSD应该是12V,坏掉的测试未1V左右。是原理图设计的原因么?还是忽略了什么地方,求大神指点。
8.png


2
2019-9-16 10:29:12   评论 分享淘帖 邀请回答

相关问题

7个回答
1.做开关管使用时应该选用P-MOS管;
2.若用PMOS管输入应该接到S集; 3.PMOS管G极为低时导通; 如果使用NMOS管: 1.导通电流比较小; 2.D极应该串一个电阻; 你这个电路原理上就错误了
2019-9-16 10:29:49 评论

举报

是N MOS管,但是看参数应该不存在什么问题
9.png
2019-9-16 10:33:32 评论

举报

有可能是没导通  你把R95阻值改大一点,是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空  后级一定要接电容
2019-9-16 10:34:10 评论

举报

这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试。+12V_SSD单板是悬空的
2019-9-16 10:34:23 评论

举报

源极输出悬空肯定不行啊  NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应该都没坏。但这个电路肯定是不能一直实现导通的,还是因为导通条件Vgs的问题,源极输出如果有电容接地,初始源极电压为0,栅极通过前面的电阻分压得到4V左右的导通电压使NMOS导通;一旦导通源极电压就是12V了,这时Vgs为负MOS管截止,就这样反复的导通截止。
如果想一直导通就直接把前面的电阻分压调至16V左右(IPL60R365P7的Vgs可以承受+-20V的直流电压)就绝对没问题。
2019-9-16 10:38:07 1 评论

举报

1 条评论
这个电路就是一个有问题的电路,而且不可能一直导通,狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触发导通,结果12V和GND干一起了,结果完球了。
常规用Pmos;如果用NMOS,需要再加一级电路。
2019-9-16 10:38:18 评论

举报

楼主电路稍稍调整一下:

NMOS_SW.PNG
2019-9-16 15:47:31 评论

举报

撰写答案

你正在撰写答案

如果你是对答案或其他答案精选点评或询问,请使用“评论”功能。

高级模式
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。 侵权投诉
我要提问
关闭

站长推荐 上一条 /6 下一条

快速回复 返回顶部 返回列表