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28V分压后得到3.65V作为栅极导通的电压，现在发现这个MOS管特别容易坏掉，DS无法导通，正常测量+12V_SSD应该是12V，坏掉的测试未1V左右。是原理图设计的原因么？还是忽略了什么地方，求大神指点。 
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7个回答
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1.做开关管使用时应该选用P-MOS管；
2.若用PMOS管输入应该接到S集； 3.PMOS管G极为低时导通； 如果使用NMOS管： 1.导通电流比较小； 2.D极应该串一个电阻； 你这个电路原理上就错误了 |
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有可能是没导通 你把R95阻值改大一点，是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空 后级一定要接电容
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这个还真有可能，之前试过把R95增大，栅极电压4V左右，+12V_SSD电压变成了2V左右，我把后级加个电容试试。+12V_SSD单板是悬空的
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源极输出悬空肯定不行啊 NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应该都没坏。但这个电路肯定是不能一直实现导通的，还是因为导通条件Vgs的问题，源极输出如果有电容接地，初始源极电压为0，栅极通过前面的电阻分压得到4V左右的导通电压使NMOS导通；一旦导通源极电压就是12V了，这时Vgs为负MOS管截止，就这样反复的导通截止。
如果想一直导通就直接把前面的电阻分压调至16V左右（IPL60R365P7的Vgs可以承受+-20V的直流电压）就绝对没问题。 |
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1 条评论
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2019-9-16 10:38:18
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