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嗨，我想从EEPROM读取字节，它读取良好的第一类型。在PIC复位之后，它错误地读取第一个字节。在0x01的情况下读取0xFF。除了第一个字节外，其他所有字节都读正确。在所有外围设备和I/O初始化过程之后，每个PIC启动时都开始读取过程。您知道什么会导致这个问题吗？这是我的EEPROM数据：这是EEPROM读取过程（来自分解列表）这是代码中的EEPROM读取过程（c18编译器）
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7个回答
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你的软件中有EEPROM写代码吗？
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我认为达里奥的答案是正确的，但他忽略了“为什么”。请允许我解释一下。这个问题发生是因为MCU通过“运行”模式转换，因为它是从编程模式出来的。这里是场景：在对设备进行编程时，可能/可能包括EEDATA中的初始值。当程序员退出编程模式时，nMCLR从“编程模式”下降到“复位”，电压在“运行”模式下花费一些时间，并且设备开始执行代码。如果您正在运行一个不错的时钟速率，那么在nMCLR被低速驱动之前，当退出编程模式时，它可能执行几十条甚至数百条指令。如果代码开始写入EdEATA，它会损坏已经编程的程序。这在我身上发生了。这不是程序员的错误，它只是物理和设备是如何工作的。VPP/NMCLR有多快被驱动到地面？在“运行”电压范围内的时间是0；如果我可以用达里奥的建议来推测，我认为100Ms是多余的。IMHO 10ms应该是足够的，至少有10X的误差裕度。如果你需要优化这一次，把一个范围在VPP/NMCLR在您的电路，并测量下降时间从VPP到VSS。适当增加工程保证金，并将其用作您的时间延迟。02美元。
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是的，谢谢你的解释，丹诺！我只是给出一般的建议，基于“通用思想”更多地涉及外部外围设备、总线、电源稳定等，而你们的是更多“内部”相关的一个！至于“MS”，那么，100毫秒与全寿命相比是什么呢？
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谢谢，你们都是对的！问题是在我的电压调节器（降压转换器），有一个错误的电容器的输入电压调节器是给予一种“软启动”，大约是100mS，直到电压稳定。此外，在输出上增加电容器后，消除了所有尖峰和噪声，这就是为什么PIC可能没有在正确的时间复位。PIC很可能在EEPROM读写中间复位。因为我有一个硬件启动电源与按钮按下，PIC启动和拉电源控制PIN高，读取EEPROM，做一些功能，并在一些延迟后，它写所有的设置到EEPROM和开关关闭。另外，我有点困惑，因为PIC18F23 K20工作在原始硬件上没有任何问题。一旦我应用了PIC18F25K20（在家庭中较高，由于记忆不足而放置），我开始有这些问题。希望他们现在整理好了，谢谢大家！
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编写第二个拷贝程序。在设备中的所有编程。经过PIC复位测试。
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这不是奥地利的一生（100Ms）……格林先生：“到底是什么比较了奥地利一生？”一次在溜冰。
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在EEPROM中构建第二复制数组数据。控制位构建。如果（ARARY1＝＝ARARY2）继续；
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