怎么将数据存储在闪存中

我建议您使用EMEEPROM（仿真EEPROM）组件，它比处理闪存行更容易处理。
记住，系统时钟在写入Flash时会有变化，所以最好是在那时禁用BLASH。
有一个CL语言扩展（我不太满意这种方式），使用“const”关键字在Flash中有一个变量（结构或数组）：
const国际32 MyVaR＝123456；
需要“const”关键字，编译器需要初始化以将此var放入Flash中。在函数中，您必须声明变量为“static”，或者将其分配到堆栈上。
不要使用另一个VaR＝MyVar；//这个WIL设置ANOTVAR到123456；不管MyVar的重新编程！！
相反，使用MeMyPy*（）将EEEEPROM区域转移到SRAM区域。
鲍勃

目前，仿真的EEPROM不支持BLE设备。您可以使用APICYSysFLASKWrrrOWO自己写入Flash。首先，您需要确定项目当前正在消耗多少Flash。每个闪存行是128字节宽。根据最终Flash字节的地址（之后你可以看到完整的零点（你可以从调试器中看到）），你可以把这个地址除以128来找到行号。
另一个选项是强制编译器将Flash数据存储在一些固定的位置。例如，如果您希望将Flash数据放置在地址0x1000，首先打开构建设置-& gt；链接器& gt；命令行-&；自定义标志和添加：- Wl，-节开始= MysSeClord1= 0x000
这将数据放在闪存地址1000中。
现在在您的项目中，全球使用：UTI8MyFlash数据DATA属性（（节）（MyOxSeist1））= {0xAA，0xbb，0xCC，0xDD}；
现在，数据AA、BB、CC和DD将被放置在地址1000－1003。
希望这有帮助！

哎呀，我不知道该emeeprom组件尚未发布psoc4bles。
写入FLASH或EEPROM中有一个临界点：当有在写一个功率损失（以毫秒范围内的时间）你会有损坏的数据。当你有了一个cy8ckit-042-ble你会发现一些框架板上，你就可以通过I2C。写入FRAM在µ的范围可以很容易地实施完毕后桥功率损失检测。另外的一些框架写周期远大于闪存或EEPROM。
鲍勃

你可以设计你的电源来“保持”足够长的时间来处理。
内部闪存写入操作（S）。Ie你可以消除需要
外部存储器。像这样的东西
电源（PSoC 1，但一般PSoC适用性），如果你在一个关键的循环，无论是控制机器，或写内部EEPROM，电源和UP必须处理检测和有序终止处理线程在电力损失。一些点——1）使用LVD来提醒即将发生的功率损失。进程中断创建有序关机。考虑到LVD的拾取点，更接近能量源通常更好地控制和最大化功率损失。如果需要外部LVD，那么使用A/D转换器作为LVD器件。但也可能会出现与PIN注入电流限制相关的电路设计问题，例如PSoC上没有功率时，而是出现在LVD感测节点上。一个简单的串联电阻可以解决这个问题。2）单独的LVD是不够的，一些过程需要时间在损失的功率完成。这就是短期能源储存至关重要的地方，例如电解、散装瓶盖、电池……3）电路设计，确保能量帽不通过二极管隔离提供能量回到线路或调节器。肖特基优选（开关功率MOSFET最佳）由于可能的低VF，更少的浪费PDES，并允许更大的V柔顺范围的设计。4）计算所需的CAP大小（这是一个近似值，假设负载看起来像恒流源），在实际负载中通常是电阻性的，因此人们将使用指数来计算。UP看起来像一个常数i加载由于CV＊2×F PDES，而负载，例如具有I限制电阻器的LED，看起来更具有电阻）-Q＝C x V，I＝C x dV/dt，C＝（i x dt）/dv，dt＝（c x dv）/i i是最大电流需要DT是完成处理器线程完成所需的时间，像EEPROM写作为一个例子，DV是允许电压下降，以确保在操作规范内的停留，基本上（VROSSIOFF POWER检测-Vupmin）所有计算必须采取最坏情况的值，以确保C min是计算，超过V和T表示另一种方式，因为C和DV上升，我下来，我们最大限度地延长时间允许继续运行在电力损失。所以我们可以使用LVD关downprocesses使用电源，LED显示驱动为例，关闭高速CLKS模块如PWM，计数器，等下我所需要的。然后完成有序停机。很明显你关机的关键过程，就像人类，蜱虫控制安全的，等等。第一...... J 5）一个典型的计算（29466，标称值，你需要最坏情况的例子值）–A.假定12 MHz的时钟，这使得PSoC的操作在3 V至5.25 V，假设VDD标称为5V，+ / - 5%。你可以使用LVD切换时钟从24兆赫到12兆赫在优化时速度正常功率有效利用更宽的操作电压范围。选择lvdlow_trip = 4.64 V，这是一个警告的力量是注定要失败的，所以DV = 3 = 4.64–1.64V。总和电流要求，注意PSoC规格显示核心电流分离模块的电流，所以你需要和所有的电流。也为tytpicals PSoC电流限制，那么您将需要使用一个“忽悠”因素的比例提高。或表征设计温度在极端自信有价值。所以我=（IUP + imodules）xffudge，让选择50马为例，修正因子2 X，所以我= 100毫安，。还要糟糕的情况下，尽你所能。最后，假设我们的主要问题是写EEPROM，我们想写一块充满信心只是电源失败。需要200毫秒。我们还需要添加一些代码的执行时间为有序的关机休息，说50 ms.然后DT =。25秒方程是安培，伏特，法拉所以我们（名词）C =（1×25）/ 1.64 = ~。015法拉，或15000用友。电解公差相当差，非常的温度依赖性，所以这个因素的必要价值。[网址] HTTP：/ / www.cde。COM /目录/ aeappguide .pdf [/url]最后这个电容器必须在电源恢复充电，所以使用定义的方程和可用的当前估计恢复电容充电，在启动电源转换率的思考。保护器的输出从一个二极管或电容放电开关和调节器输出系列MOSFET。注意其电压降的因素纳入计算。香料有用到整体供应设计手柄。电容器可以在输入或输出端是你的调节器，拓扑结构，一定的优势和注意事项。此外，更多的能量可以储存变压器领域。香料很好地估计这种行为。提醒你有最坏的情况下，所有的值在T和V的一个成功的、可靠的设计。不要忘记组件老化效应。

考虑在EEPROM保存数据：
HTTP://www. CyPress？COM/？应用=论坛&；ID = 2492 &；摆脱= 105370
奥迪赛1

谢谢！这些建议很有帮助！我真的很感激！是的我想在电池死亡病例闪存存储数据。我们的项目需要把包住了很长一段时间，她在完成任务后回收。

你知道eepromcomponent已经发布了吗？

我以前写的使用方法与上述图片及flash；ST微。但我无法写PSoC BLE盒闪光。它每一次我试图在部分编写任何异常处理程序。即使以上自变量是uint8和我们使用它作为阵列。查询：1。变量是uint8类型，但我们使用它作为阵列。2。我变为一个数组，但是我无法用写my_flash_data [ 0 ] = 12；。每当我做这个代码进入异常处理程序。三。我不确定其他柏树闪光，但微闪0xff是闪光/部门写擦除后。技术上它将1 0的基础上修改的值，但不能转换为。例如，如果你写0x00到Flash擦除后你就不能在这之后你需要擦除扇区再写任何东西。我的问题是，这种行为是柏树闪光。如果是，那么步骤，我可以将数据存储在Flash的特定部分和读/写/存储它就像我想要的是什么。4。我也尝试cywriterow方法，进入异常也。

阿尼什，把你的完整项目写在BLE Flash上，这样我们就可以看看你的所有设置了。要做到这一点，使用C造饰者和GT；文件-GT；创建工作区束（最小）并附加结果文件。
鲍勃

你好，鲍伯，我没有正确计算使用的Flash，并且在CysSyFrutsReWrOw函数的情况下提供了已经使用过的行。现在我可以成功读取Flash上的写入数据。
但我面临的新问题是，每当我尝试连接任何BLE设备，PSoC立即重置。如果我在代码中评论Flash读/写行，一切都会顺利进行。Flash有什么问题吗？
我用BLE先锋工具包。

写Flash会有一个变化的内部时钟时（这是恢复完成时），中断并不是在写处理。这会干扰BLE。
尝试关闭、准备不中断处理（和许多完成时）和写入Flash。
BLE先锋试剂盒已登上这是连接通过I2C FRAM和一些会更容易在断电的情况下操作。考虑使用FRAM存储信息在断电。
鲍勃

大家好，
我试图做同样的事情，读和写数据从Flash。基本上，我希望使用其余的闪存来存储值，然后读取和发送一个通信协议。
通过这种方式，使用来自PSoC引用的信息，我创建了一个模块。我使用的芯片是CY8C4248BLQI-BL580，芯片具有BLE和256KB的闪存，排列在1024行（0~1023，如我观察到的）中，每个字节256个字节。也不要为我感到困惑，开始和结束行都是450，因为我打算从450行开始（代码大约是415行），然后转到1023，但是为了测试，我只想填充一行并读取它。
当然，所有的人都可以自由地使用这个代码，这对你来说是当然的。您应该修改的唯一行是前2行、开始行和结束行编号。
[更新]在代码中添加了一些注释。也自由建议改进/发现错误。我认为代码也可以使用地址来完成，但是我在PSoC中使用了行，如果您在一行中写入3个元素，它将自动删除整个行。
&代码；
包括“Cyflash”。
/*开始行，其中您想将数据放入Flash */y*中定义FLASHOR.NSTROSTESTARTW 450
/*最后一行，其中您想将数据放入Flash */y*中定义FLASHOR.NSTOREDRONE 450／／1023／*头，以了解当前写入行和Read行* /静态UT32 32 FLASHOLU32 CurrutRealServer＝FLASHOL NSTROSTARTROW；静态UIT32 32 FLASHUL U32 CurrureRealReave= FLASHL NStestestARTW；
/*写入Flash方法。在输入处接收的数据应该是行的大小，在我的情况下，在其他128个*/ITC8 FLASH I8StuleDATA（UTI8*PU8DATA）{It8 HealalStase= CythySyFlash的成功；It8 I8Stand＝1；
/*检查是否仍有行可用于写*/IF（FlasuxUrrutRealServer and lt；= FllasyNStureDeNew）{HunalStase= CysSyFlsReuleRoWo（FllasuxU32 CurrutWrrServer，PU8DATA）；/*检查状态，如果成功增加写行头，否则返回错误代码*/IF（HealAltSt= = CythySysf）LASHION成功）{FLASHOUL32 CurrutWrrErrOW+++；}否则{I8Stase= -1；}否则{i8Stase= -1；}返回I8Stand；}
/*从整个行的FLASH读取MulHod；如果需要的话，该方法可以读取小于一行的*/It8FLASH I8GETDATA（UTI8*PU8DATA）{UIT8 AU8DATA [CyfFLASH SIEZOFFORION ]；UTI8*PU8AuxPosix；UTIN 16U16索引；It8 I8Stand＝0；/*检查是否存在闪存读取和令牌中的某物。E头* /如果（flash__u32currentreadrow <；flash__u32currentwriterow）{ /*创建指针地址使用行的大小和读取的行头* / pu8auxpointer =（uint8 *）（cy_flash_base +（cy_flash_sizeof_row * flash__u32currentreadrow））；/*复制所有的数据行，这也可以做用memcpy但我没有测试过* /（u16index = 0；u16index <；（uint16）cy_flash_sizeof_row；u16index ++）{ au8data [ u16index ] = *（pu8auxpointer + u16index memcpy（）；} pu8data，au8data，cy_flash_sizeof_row）；
flash__u32currentreadrow ++；}否则{ i8status = 1；}返回i8status；}
/*返回行填数，读写头* / UInt32 flash_u32getstoreditems（void）{ UInt32 u32result；如果（flash__u32currentreadrow >；= flash__u32currentwriterow）{ u32result = 0；}否则{ u32result =（flash__u32currentwriterow - flash__u32currentreadrow）；}返回u32result；}
/ *重置读写头本应在闪空操作* /无效flash_vresetstoreditems叫（void）{ flash__u32currentwriterow = flash__nstorestartrow；flash__u32currentreadrow = flash__nstorestartrow；} & lt；/代码& gt；

更新：
你好，
它工作了一段时间，但后来我有一些时钟问题，即使我使用了256KB闪存芯片，并在数据表中声明，这些芯片不应该有时钟问题，或任何副作用的问题。原来是这样。
但好消息感谢CyPress社区使用一个技术票，我们用另一个函数纠正了这一点：来自BelyStAdHestMaun.h文件的CyByLyStuleAppDATA。在头文件中，您可以检查说明。如果用这个函数替换FLASH I8StReDATA的功能，您就可以去了。我能够完全写闪存与光连接，直到现在我没有任何问题。
&代码；
It8 FlasyI8StuleDATA（UTI8*PU8DATA）{It8*Pu8AuthPosivIn；IF（FlasuxUlCurrutWrdReWOR＆lt；＝Flllas-nStureEndRew）{Pu8AuxPosith=（UTIN 8*）（Cyflash FlaseBase+）（Cyflash FlaseSigeFuffy*FlasuxU32 CurrutWruteWORW）；而（CyLylStuleAppDATA（PU8DATA，PU8AuxPosiple，CyFlash大小）奥弗罗，0）！{ CyBylErrrOrthOK）{；} FllasuxU32 CurrutWruteRoop++；}否则{I8Sturt=＝1；}返回I8Stand；} & lt；/Clult& Gt；