[经验]

MOSFET和封装技术的进步使得TI能够成功应对挑战

2019-7-31 04:45:11

1216 MOSFET 控制器

标签：dcdc，nexfet，mosfet，tps546c23，swift
电压稳压器，特别是集成MOSFET的直流/直流转换器，已从由输入电压、输出电压和电流限定的简易、低功耗电压调节器，发展到现在能够提供更高功率、监控操作环境且能相应地适应所处环境。
以前，需要高于10-15A电流的应用通常依赖于具有外部MOSFET的控制器，以提供所需功率完成工作。转换器尽管可让设计的布局更简单，使用物料清单（BOM）中的组件更少，同时还能提供具有高可靠性的高密度解决方案，但可提供的功率相对有限。
诸如网络路由器、交换机、企业服务器和嵌入式工业系统等应用的耗电量越来越高，需要30A、40A、60A或更高电流以用于它们的负载点（POL）设计。当适应控制器和外部MOSFET时，这些应用极大地限制了主板空间。
MOSFET和封装技术的进步使得ti能够成功应对这些挑战。诸如TI 2.x NexFET™功率MOSFET的新一代MOSFET，在给定的硅面积中具有更低电阻率（R DS(on)），以实现更高的电流容量。我们的PowerStack™封装技术将集成电路（IC）和MOSFET相互堆叠（见图1），以提供能够供应每相35A-40A的转换器。为达到新高度，TI目前提供的转换器，比如TPS546C23 SWIFTTM转换器，可实现电流堆叠（见图2），提供高达70A的POL。
下载参考设计“采用具有PMBus 接口的堆叠 TPS546C23 DC/DC 转换器的12Vin、1.2Vout、60A大功率密度顶部电感器负载点（POL）”。

图1：PowerStack封装实现高密度

图2：堆叠两个DC / DC转换器实现更高负载电流

处理高密度功率环境需要优化系统功率和动态电源管理（APM）。例如，1VOUT30A POL中10％的电压上下波动范围会影响封装热量，达到0.5W！避免过多热量留在安全操作区域（SOA），且不影响系统的可靠性至关重要。为了实时正确管理电源（见图3），监测遥测参数（如电流，电压和温度）至关重要。TI 具有PMBus的新型TPS546C23转换器支持遥测技术。

图3：Fusion GUI通过PMBus管理电源

电压稳压器从简易低功率供电，发展到如今具有集成MOSFET的DC/DC转换器，可以传输更高功率，并对环境进行监控和适应。现在，您可轻松地监控、管理并堆叠TI的TPS546C23 PowerStack转换器，提供高达70A的高密度、高性能POL。获取更多信息并订购评估面板。