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1、引言
随着集成电路集成度的提高，越来越多的元件集成到芯片上，电路功能变得复杂，工作电压也在降低。当一个或多个电路里产生的信号或噪声与同一个芯片内另一个电路的运行彼此干扰时，就产生了芯片内的EMC问题，最为常见的就是SSN(Simultaneous Switch Noise，同时开关噪声)和Crosstalk(串音)，它们都会给芯片正常工作带来影响。由于集成电路通过高速脉冲数字信号进行工作，工作频率越高产生的电磁干扰频谱越宽，越容易引起对外辐射的电磁兼容方面问题。基于以上情况，集成电路本身的电磁干扰(EMI)与抗扰度(EMS)问题已成为集成电路设计与制造关注的课题。 集成电路电磁兼容不仅涉及集成电路电磁干扰与抗扰度的设计和测试方法，而且有必要与集成电路的应用相结合。针对汽车电子领域来讲，将对整车级、零部件级的电磁兼容要求强制性标准，结合到集成电路的设计中，才能使电路更易于设计出符合标准的最终产品。作为电子控制系统里面最为关键的单元——微控制器(MCU)，其EMC性能的好坏直接影响各个模块与系统的控制功能。 本文在汽车电子MCU 中采用抗EMI的设计方法，依据IEC61967传导测试标准，对汽车电子MCU进行电磁干扰的测试。 
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2、汽车电子MCU设计方法
下面介绍在汽车电子MCU中使用的可行性设计方法以及其他几种抗EMI设计技术。 2.1 时钟电路设计 由于时钟电路产生的时钟信号一般都是周期信号，其频谱是离散的，离散谱的能量集中在有限的频率上。又由于系统中各个部分的时钟信号通常由同一时钟分频、倍频得到，它们的谱线之间也是倍频关系，重叠起来进而增大辐射的幅值，因此说时钟电路是一个非常大的污染源。 针对汽车电子MCU 数字前端设计，在抗EMI方面采用门控时钟的方法改进。任何时钟在不需要时都应关闭，减低工作时钟引起的电磁发射问题。根据A8128(汽车电子MCU的型号)芯片系统功能设计要求，采用Run、Idle、Stop和Debug四种工作模式，在每一种工作模式下针对系统时钟、外设模块时钟进行适当门控。此外，还有几种在时钟方面常见的抗EMI的设计方法，包括: ①降低工作频率 MCU的工作时钟应该设定为满足性能要求所需的最低频率。从下面的测试结果可以看出，一个MCU的运行频率由80MHz变为10MHz，可以使频谱宽频范围内的干扰峰值产生几十dBμV 的衰减，而且能够有效的降低功耗。 ②异步设计 异步电路工作没有锁定一个固有频率，电磁辐射大范围均匀分布而不会集中在特定的窄带频谱中。这一关键本质特征决定了即使异步电路使用大量的有源门电路，它所产生的电磁发射也要比同步电路小。 ③扩展频谱 扩展频谱时钟是一项能够减小辐射测量值的技术，这种技术对时钟频率进行1%~2%的调制，扩散谐波分量，在CISPR16或FCC发射测试中峰值较低，但这并非真正减小瞬时发射功率。因此，对一些快速反应设备仍可能产生同样的干扰。扩展频谱时钟不能应用于要求严格的时间通信网络中，比如FDD、以太网、光纤等。 2.2 IO端口设计 在汽车电子MCU 的输入输出端口设计中，也加入了抗EMI方案，包括翻转速率(slew rate control)和驱动强度(drive strength)控制方法。通过在所有通用P口引入可配置的翻转速率和驱动强度寄存器，在需要的时候打开相应功能。翻转速率有打开和关闭两种选择，打开后能够有效地平缓上升沿或者下降沿，降低瞬态电流，进而控制芯片产生的电磁干扰强度。驱动强度有强驱动电流和弱驱动电流两种选择，在能够满足工作驱动强度的情况下，选择弱电流驱动会更好的控制电磁干扰现象。 另外，基于GSMC 180nm工艺库，选择具有施密特触发特性的IO，可以有效地平缓输入信号中带进来的尖峰或者噪声信号等，对芯片的电磁抗扰度有所帮助。 |
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3、汽车电子MCU测试方案
IEC61967标准是国际电工委员会制定的有关集成电路电磁发射的标准，用于频率为150kHz到1GHz的集成电路电磁发射测试。标准中涉及到辐射和传导两类测试方法，由于传导方式的电磁干扰带给芯片应用上的影响更大一些，本次试验选取IEC61967-4直接耦合法进行测试。该方法又分为1Ω测试法和150Ω测试法，1Ω测试法用来测试接地引脚上的总干扰电流，150Ω测试法用来测试输出端口的干扰电压。 在测试时，需要在进行测试的电路中接入串联电阻为1Ω的电流探针(探针即为1Ω测试网络，已经集成在EMC测试板的芯片地端与PCB地平面之间)，49Ω串联放置为了形成50Ω匹配，用接收机测量射频电流流经该电阻时产生的射频电压，所测得的电压应为所有流回到集成电路的射频电流在电流探头上产生电压的总和，测得的电压值可以换算为流过探针的电流，测试环境图如图1所示。 图1 1Ω测试环境 在150Ω测试中，集成电路的引脚通过标准规定的匹配网络接到测试接收机，通过150Ω探针(探针即为150Ω测试网络，已经集成在EMC测试板上)可以测量SSN在输入输出端口和电源两类引脚上的传导干扰，通过计算可以将接收机测量的电压转换为噪声电压幅值，测试环境图如图2所示。 图2 150Ω测试环境 下面是针对EMI进行的1Ω和150Ω测试步骤，包括测试前准备工作以及测试数据分析等。 3.1 测试前装备工作 ①环境温度 本次实验集中在晚间进行，现场温度控制在23±2℃范围内，符合标准要求。 ②环境噪声电平 将DUT(被测设备)固定在实验台上且为断电状态，用EMI接收机测量残留噪声。本次实验环境噪声电平在可接受的测试要求内，详情请参看图6。 ③其他环境条件 所有其他可能影响测试结果的环境条件，例如环境湿度。本次实验所测得的相对湿度为45%RH左右。 ④确认工作状态 给DUT供电并检查确认IC处于正常的工作状态，同时在实验时保持周围的测试条件不变。 |
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3.2 1Ω测试
(1)将SMA连接线一端连接到测试板，另一端连接到接收机(安捷伦N9030，内置N141A电磁兼容测试软件)，将EMI接收机的测量频率范围设置为150kHz到1GHz，根据标准对测试操作的要求，分成150kHz~30MHz(RBW 为9kHz)和30MHz~1GHz(RBW 为120kHz)两段。下面测试图中绿色边框范围内的是150kHz~30MHz，范围外的是30MHz~1GHz。 结合汽车电子MCU 端口特性以及标准要求，将接地端口与1Ω网络相连，再与SMA口相接，引入EMI接收机进行监控，原理图如图3、图4所示。 图3 芯片的地网络引脚 图4 1Ω网络 (2)选取可能影响EMC特性的因素，在时钟上分别测试10MHz、20MHz以及77MHz频率下电磁干扰大小数值，在测试功能上选取模数转换程序ADC; (3)测量每一段频谱内可能出现的干扰，提取各个谐波的包络值，接收机的电压可以换算为流过探针的电流。测试仪器以及EMC测试板如图5所示; 图5 实际测试环境 (4)在对每个频率点测试的时候要进行多次测量，以便排除偶然因素的干扰。下面是各个测试情况的说明; ①时钟采用外部晶振10MHz，烧录SRAM 中的程序为ADC。图6左侧为未上电时的环境噪声信号，右侧为上电但未运行程序的测量结果。 图6 断电vs.上电 通过对比可以得出上电之后在整个频谱范围内干扰强度变大，时钟的固定周期将使电磁辐射集中在时钟基波和谐波附近很窄的频谱范围内。根据傅里叶级数展开公式可以得出，在时钟倍频处的频点其干扰值也越大，所以在10MHz、20MHz等倍频点处的现象更明显， |
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加入小组17626.6标准中关于CDN的疑问？以及实际钳注入测试中是否需要对AE和EUT同时接CDN？
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