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在进行《实验五：MEMORY CONTROLLER》时，我使用的是两片k4s561632e-uc75 SDRAM，技术资料说64ms refresh period (8K Cycle)，那么可知该SDRAM的刷新周期为64ms/(8*1024)=7.8125us,
则R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955, REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3，但是我设置这个值，SDRAM不能工作， 然后，我按如下计算，R_CNT = 2^11 + 1 – 60 * 7.8125*2 = 1113,REFRESH=0x008e0000 + 1113=0x008e0459,设为这个值可以正常工作， 这是怎么回事呢？ 
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7个回答
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是怎么接的呢？
k4s561632e-uc75是16M x 16的， 你是组成16M x 32呢还是32M x 16？ 如果可以，把原理图截屏后帖出来看看 1. 如果是并联成16M x 32，那么计算方法不变：R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955 2. 如果是串联成32M x 16，SDRAM的刷新周期为64ms/(8*1024*2)=7.8125/2us，R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125/2 = 2002 不管怎么说，所得的值都比1113大啊，那里出错了？ 你没启动MPLL提高HCLK吧？ |
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源码如下，注意我的led和按键与实验的不一样！
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我的板子使用两片HY57V561620CT-H，除了型号不同，容量、位宽、连线、刷新频率和你的都相同，
我也没想到是什么问题 你改为R_CNT = 2^11 + 1 – 60 * 7.8125*2之后， 刷新频率更慢了，数据反而容易丢失才对 |
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因为外接的SDRAM的位宽是32位的──就是说以32位即4字节为单位进行访问。
你想象一下，CPU使用0bxxxxxxxxxx11、0bxxxxxxxxxx10、0bxxxxxxxxxx01、0bxxxxxxxxxx00这4个地址访问时，ADDR2～ADDR31都是相同的，它们都访问同一个“32位”，ADDR1、ADDR0根本用不到。 取这“32位”中的哪个字节，由LnWBE0～3决定。 |
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奇怪的问题又来了，我做实验十，REFRESH得值设为0x008e07a3，0x008e0459都可以工作，然后我随便改了一个值（0x008e0123），也可以正常工作
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只有小组成员才能发言，加入小组>>
197个成员聚集在这个小组
加入小组为什么点亮LED的例子放在NORFlash上跑会出现奇怪的现象？
2157 浏览 6 评论
1964 浏览 5 评论
韦东山老师推出的《玩转ARM裸机实战》课程将帮你以上问题一扫而光！
4521 浏览 1 评论
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