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简介:我已经设计了35年的电子产品,并且偶尔使用Xilinx的东西6年。
我正在设计一个大型LED电视显示器。 这是“艺术”的作品,而不是“产品”。 所以我并不担心大规模生产设计的稳健性,我只是希望它能够在没有芯片燃烧的情况下工作。 我的要求:我想用LVCMOS25驱动器直接驱动带有Spartan 3E芯片的64个LED,每个12 mA,没有任何缓冲芯片。 这将为我节省数百个组件。 问题是数据表没有说明I / O块的总电流驱动限制是多少。 我认为存在一些限制,导致VCCIO键合线或金属化由于过热而失效。 什么是该芯片的同时高驱动电流限制? 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 Intro: I've been designing electronic stuff for 35 years, and using Xilinx stuff sporadically for 6 years. I am designing a big LED television display. It's a work of 'art', rather than a 'product'. So I'm not worried about mass production design robustness, I just want it to work without the chips burning out. My requirement: I would like to drive 64 LEDs with a Spartan 3E chip at 12 mA each from the LVCMOS25 drivers directly, that is without any buffer chips. This will save me several hundred components. The problem is that the data sheet doesn't say what the total current drive limit is for an I/O block. I assume that there is some limit entailing the VCCIO bond wire or metallization failing due to overheating. What's the simultaneous high drive current limit for this chip? |
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1个回答
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根据我的经验,合成可能会给你一个提示,如果没有。
IO超过了当前限制。 (平面图,分析)。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 According to my experience, the synthesis might give you a hint, if the no. of IOs exceeds the current limit. (Floorplan, Analysis). |
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只有小组成员才能发言,加入小组>>
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