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芯片是STM32f103vbt6.
通过上位机计算了3组参数，通过modbus将数据发送到单片机定义的三个数据paraa[7],error[7],resRefValue[7]; 同时将这三个数组写入到内部flash里； 再次上电时，先读内部flash里的数据放到这三个数组里； 然后再通过modbus读取这三个数组的数据。 modbus文件是网上搜到的(忘了是不是本论坛)，感觉挺好用的。为了配合同事编写的上位机软件，自己加了个f6(写参数到板子)，f8(读板子的参数)这两个功能码，后边地址是瞎编的。 现在是写参数到板子后，如果不断电，再读取(参数没有重新从flash里读取)是正常的。 如果是上电后读取，parra[]数组正常，error[]和resRefValue[]数组的后三位都是0. stm32内部flash编程，参考的是正点原子和野火的历程。 
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5个回答
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楼上正解，看看有无加解锁操作。还有你说的不掉电数据读取正常，先测试测试写完之后，修改一下数据缓冲区的内容，再读，看看有无相同。如果读不成功，缓冲区的内容也是没有修改的。
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写FLASH不用解锁加锁吗？
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调用用到的这个函数， void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite){}; 里面是有flash的解锁加锁的。 这部分是参考整点原子/野火例程的，就没有贴出来。 |
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tyewybvwe 发表于 2018-11-9 20:23 缓冲区数据读取是正常的。 问题应该是在将缓冲区数据写入到内部flash里或从内部flash里读出数据到缓冲区，出的问题。 现在也不知道是写入出的问题还是读出时出的问题。 |
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void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite){};
这个函数引用错了，第三个参数应该是字节数。 我的三个数组，分别寸的是32位浮点数，16位符号数，16位无符号数。 7组数据，所以第三个参数，应对应为28，14，14； |
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