如何对STM32内部的Flash进行读写呢

　　stm32——Flash读写
　　一、Flash简介
　　通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作。
　　stm32的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义。如其支持ICP（In Circuit Programming，在电路编程；在线编程）特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发，可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写；支持IAP（In Application Programming，在应用中编程）使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程序进行更新操作。对一些对数据安全有要求的场合，可编程FLASH可以结合stm32内部唯一的身份标识实现各种各样的防破解方案。并且stm32的FLASH在一些轻量级的防掉电存储方案中也有立足之地。
　　stm32的FLASH分为主存储块和信息块。主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据，信息块用于负责由stm32出厂时放置2KB的启动程序（BootLoader）和512B的用户配置信息区。
　　主存储器是以页为单位划分的。stm32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。
　　小容量产品：主存储块1-32KB， 每页1KB。系统存储器2KB
　　中容量产品：主存储块64-128KB， 每页1KB。系统存储器2KB
　　大容量产品：主存储块256KB以上， 每页2KB。系统存储器2KB
　　互联型产品：主存储块256KB以上， 每页2KB。系统存储器18KB
　　对于具体一个产品属于哪类，可以查数据手册，或根据以下简单的规则进行区分：
　　STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx产品，根据其主存储块容量，一定是小容量、中容量、大容量产品中的一种，STM32F105xx、STM32F107xx是互联型产品。
　　对Flash的写入操作要遵循“先擦除后写入”的原则。
　　stm32的内置Flash编程操作都是以页为单位写入的，而写入的操作必须要以32位字或16位半字宽度数据为单位，允许跨页写；写入非字或半字长数据时将导致stm32内部总线错误。
　　二、程序实现
　　flash.h
　　1 #ifndef __FLASH_H
　　2 #define __FLASH_H
　　3 #include “stm32f10x.h”
　　4 u8 Write_Flash（u32 *buff， u8 len）;
　　5 void Read_Flash（u32 *buff， u8 len）;
　　6 void Char_To_Int（unsigned char *buffer， unsigned int *data，unsigned int position）;
　　7 void Int_To_Char（unsigned char * buffer， unsigned int data，unsigned int position）;
　　8 #endif
　　flash.c
　　#include “flash.h”
　　#include “stm32f10x_it.h”
　　#define WriteFlashAddress （（u32）0x08010000）//读写起始地址（内部flash的主存储块地址从0x08000000开始）
　　/*******************************************************************************
　　* 函数名：Write_Flash
　　*描述 ：写STM32指定地址的Flash
　　*输入 ：buff：写入数据缓冲区，len：写入数据长度
　　*输出 ：无
　　*返回值 ：u8：写成功返回1，失败返回0
　　*说明 ：无
　　*******************************************************************************/
　　u8 Write_Flash（u32 *buff， u8 len）
　　{
　　volatile FLASH_Status FLASHStatus;
　　u8 k=0;
　　u32 Address;
　　Address = WriteFlashAddress;
　　FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;
　　FLASH_Unlock（）;//解锁
　　FLASH_ClearFlag（FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR）;//清除所有标志
　　FLASHStatus = FLASH_ErasePage（WriteFlashAddress）;//扇区擦除
　　if（FLASHStatus == FLASH_COMPLETE）
　　{
　　for（k=0;（k《len） && （FLASHStatus == FLASH_COMPLETE）;k++）
　　{
　　FLASHStatus = FLASH_ProgramWord（Address， buff［k］）;//写入一个字（32位）的数据入指定地址
　　Address = Address + 4;//地址偏移4个字节
　　}
　　FLASH_Lock（）;//重新上锁，防止误写入
　　}
　　else
　　{
　　return 0;
　　}
　　if（FLASHStatus == FLASH_COMPLETE）
　　{
　　return 1;
　　}
　　return 0;
　　}
　　/*******************************************************************************
　　* 函数名：Read_Flash
　　*描述 ：读STM32指定地址的Flash
　　*输入 ：buff：读出数据缓冲区，len：读出数据长度
　　*输出 ：无
　　*返回值 ：无
　　*说明 ：无
　　*******************************************************************************/
　　void Read_Flash（u32 *buff， u8 len）
　　{
　　u8 k;
　　u32 Address;
　　Address = WriteFlashAddress;
　　for（k=0;k《len;k++）
　　{
　　buff［k］ = （*（vu32*） Address）;//读指定地址的一个字的数据
　　Address += 4;//地址偏移4个字节
　　}
　　}
　　main.c
　　int main（void）
　　{
　　u32 in_data［5］={11，22，33，44，55};//要写入的数据
　　u32 out_data［5］;//读存放
　　int i;
　　u8 STATUS=0;
　　USART1_Config（）;//串口1配置
　　GPIO_Configuration（）;//GPIO配置，用于点亮led
　　STATUS=Write_Flash（in_data，5）;
　　Delay（0x02FFFF）;
　　if（STATUS）
　　{
　　GPIO_SetBits（GPIOD， GPIO_Pin_13）;//点亮led1
　　Read_Flash（out_data，5）;
　　printf（“rn The Five Data Is ： rn”）;
　　for（i=0;i《5;i++）
　　{
　　printf（“r %d r”，out_data［i］）;
　　}
　　}
　　while（1）;
　　}