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非破坏性分析：点针与探针量测

2018-8-24 09:07:08 1893 探针

0 点针与探针信号量测 (Probe / Nano Probe) 透过OM与SEM显微镜下，利用一般点针(Prober)或奈米级探针(Nano Prober)，搭接于芯片内部线路，使其可以外接各类电性量测设备，以输入信号及量测电性曲线。在真空环境下，以点针(Prober)或奈米级探针(Nano Prober)进行电性量测，避免外界环境的噪声干扰，对于半导体组件失效分析及其在奈米尺度下之研究发展，均能提供直接且快速的信息。宜特可依据不同需求，搭配多种设备进行量测。针对奈米组件可搭配SEM高倍率观察进行量测。组件电性特性分析微机电及芯片微结构研究可应用在高频电路及FIB Probing PAD及Active Probe (200 MHz)。当分析样品需使用如EMMI / OBIRCH / TLP / ESD / Curve Tracer等仪器却无适当治具或socket可用时，可用点针方式提供信号输入输出。Wafer可点针进行各项测试。实验室另架设有 Laser System，可做Laser Cut。 0
2018-8-24 09:07:08　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 非破坏性分析和SAT检测 9794 • X-ray检测非破坏性分析 3581 • 破坏性物理分析(DPA)了解一下! 4218 • 晶体管的破坏性物理分析 719 • 如何知道点针与探针信号量测范围？ 1742 • 请问如何初始化用于非破坏性测试的Geth和GTM SRAM？ 157 • 半导体集成电路破坏性物理分析详细科普！ 1024 • 非破坏性分析3D-OM超高分辨率数字显微镜 5671 • 从Intel的衰退中看破坏性创新 512 • 电机破坏性试验到底做不做 1374