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电子发烧友论坛|
各位大师：
大家好！第一次发帖，请多多包涵。 本人最近在做一个项目：利用CC2530F256芯片进行开发，其中要求功能之一为对射频芯片的IEEE地址进行软件修改，即对flash的write操作；看了许多帖子总结出如下几点： 1.IEEE地址在flash里的0x3FFE8--0x3FFEF处，对该区域内容进行修改； 2.不能在运行程序时写flash，应该将write代码复制到sram中：HalFlashRead(PAGE_OF_RAM_CODE, OSET_OF_RAM_CODE, ramCode, SIZE_OF_RAM_CODE); 其中，#define PAGE_OF_RAM_CODE 51 #define OSET_OF_RAM_CODE 0x6DD #define SIZE_OF_RAM_CODE 0x23 这是参考Z-STACK里的配置来的（问题的源头！！！！），但我又不知道代码是从哪个地址复制过来的， 链接文件使用的是默认的F256.xcl， 尝试了使用Z-STACK里的f8w2530.xcl，结果程序完全瘫痪； 3.调用HalFlashWrite(),该函数调用了触发write flash的核心代码（复制到sram里的代码） HalFlashErase(0x7F); writeWord(0x7F, 0x7E8, nID ); ----写之前先擦除 结果，报错 所以，发个帖子请教各位高手，问题如下： 1）CC2530F256的内存配置是不是可以通用Z-Stack里面的CC2530内存配置，具体的RAM_CODE_FLASH和RAM_CODE_XDATA起止地址应该为多少，如何对.xcl文件进行相应修改？ 2）对IEEE地址软件改动的流程是不是合理正确的？ 拜托各位了，这个项目时间很紧，本人纯属开发届菜鸟，还请各位多多指教，给些建议和想法，多谢多谢！ 
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2 个讨论
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这个问题已经解决了，解答如下：
1.CC2530的flash是在CPU方式写的时候要将代码复制到SRAM中，这个过程也是十分的繁琐，所以一般不建议采用CPU写方式； 2.采用DMA方式，可以在运行时改写flash（网上有些帖子有误），按照CC2530的用户手册上的步骤写flash—— （1）先设置将要使用的信道（0-4）地址DMAxCFGH：DMAxCFGL，这也是我上述问题的关键点，一定是先配置好信道地址。详见datasheet里8.3节； （2）然后指定所使用的信道，对DMA Configuration Data Structure进行配置，并且“arm and active”； （3）写操作 3.具体的代码，可以参照Z-STACK里的writeflash()，但是它之前已经对DMA的初始化了，自己写的话还是需要要增加步骤（1）的； 希望对有需要的人以帮助，谢谢捧场！ |
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yhsales 发表于 2018-8-8 08:05 牛，收藏，以后应该会用到 |
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只有小组成员才能发言，加入小组>>
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