完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
电子发烧友论坛|
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 15:18 编辑
F2812的内部数据地址线的位数为32位，也就是最大寻址空间为4G，但是实际中采用了分页机制，寻址空间变为了4M。如果我现在想使寻址变为4G，是不是就要改变F2812的分页机制？这个可以不可以改变？再就是F2812外扩在正常情况下为512k+512k+16k+8k+8k，也就是外扩不会超过2M如果我现在想使外扩达到200M可能吗？ 
0
|
|
相关推荐
5个回答
|
|
|
|
|
|
|
|
|
即使分页机制不能改变，我还是想要外扩大容量的flash或者RAM，可以将大容量的flash或者RAM的低19位地址线接到XINTF上，高位地址线接到普通的 I/O口上，这样就可以寻址大容量的Flash或者RAM了，可行吗？ |
|
|
|
|
wule110 发表于 2018-6-13 02:58 Chengcheng c2000的22位的地址总线，最大只能寻址4M。 如果你用普通Io来模拟，我认为不大可以，因为CCS要怎么编译才能够把数据映射到那个地址。 在E2E论坛上看到类似的帖子 http://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/171/t/124382.aspx Eric - ERIC |
|
|
|
|
guigui_7044 发表于 2018-6-13 03:06 感谢您的回复以及您给的帖子的链接，很受用。F2812外扩的地址线为19位，即最大寻址为512K，我现在将大容量的flash分为很多个512k的模块，使用普通I/O口依次选取使用，只要在程序中设置好各个“块”之间的切换，还有很有可能实现大容量Flash 操作的吧？ |
|
|
|
|
wule110 发表于 2018-6-13 03:25 Chengcheng, 如果你在程序中用Flash API 以及对IO的控制来对 这多个Flash进行控制的话，我觉得应该可行。但是你如果要想通过CCS load程序的方法对多块片外Flash进行加载的话，就应该不可以，ccs没办法根据你所说的IO控制来控制Flash的烧写。 Eric - ERIC |
|
|
|
|
只有小组成员才能发言，加入小组>>
NA555DR VCC最低电压需要在5V供电，为什么用3.3V供电搭了个单稳态触发器也使用正常?
661 浏览 3 评论
MSP430F249TPMR出现高温存储后失效了的情况，怎么解决？
587 浏览 1 评论
对于多级放大电路板，在PCB布局中，电源摆放的位置应该注意什么？
1041 浏览 1 评论
720 浏览 0 评论
普中科技F28335开发板每次上电复位后数码管都会显示，如何熄灭它？
516 浏览 1 评论
请问下tpa3220实际测试引脚功能和官方资料不符，哪位大佬可以帮忙解答下
153浏览 20评论
请教下关于TAS5825PEVM评估模块原理图中不太明白的地方，寻求答疑
118浏览 14评论
在使用3254进行录音的时候出现一个奇怪的现象，右声道有吱吱声，请教一下，是否是什么寄存器设置存在问题？
122浏览 13评论
TLV320芯片内部自带数字滤波功能，请问linein进来的模拟信号是否是先经过ADC的超采样？
120浏览 12评论
TPA6304-Q1: TPA6304 两片公用一组I2C的话，其中一片配置不成功怎么办
163浏览 10评论
/7 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
3353
评论
淘帖
3097
