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某次程序编译后程序出现了异常,程序大约如下void CommandExecute(UINT16 temp)[ UINT16 addr16; EA = 0; if(FlashFailed == 0xFF) //120912 如果之前未写入重试清除/写入损坏的次数,表示次数为0 FlashFailed = 0; HalFlashErase(61); for (addr = 0x1E800; addr < 0x1F000; addr=addr+128) //120912 根据清除地址检查是否清空 [ ] EA = 1;] void HalFlashErase(UINT8 pg)[ while (FCTL & 0x80); FADDRH = pg << 1; asm("NOP"); FWT = 0x2A; FCTL = 0x01; asm("NOP"); while (FCTL & 0x80); asm("NOP");]
发现到在HalFlashErase()之后R7寄存器异常被更改了(addr16被分配到R6和R7,所以addr16就被更改了) 以下附上我debug模式下的图片 可以看到图1的时候尚未进入HalFlashErase(),此时R7寄存器的值还是0x00 图2则是进入HalFlashErase()之后跳出来,R7寄存器的值居然被改变了,而且刚刚好就是FADDRH的值!!(我测试过几次不同的值,R7寄存器异常时值都会变成FADDRH的值) 程序运行时EA都是关闭的,所以不是被中断干扰,而且在执行HalFlashErase()的时候也没有使用到R7寄存器 最下面会附上IAR编译出来的Assembly code 注: FADDRH = pg << 1; 上面这行的下面若再加一个NOP(也就是两个NOP),或者是删除原本的NOP 程序不知为何就正常了,R7就没被更改了 这是不是编译器或是2430的flash controler有bug.....不知为何R7会被更改 图1. 图2. // 299 if(FlashFailed == 0xFF) //120912 如果之前未写入重试清除/写入损坏的次数,表示次数为0 MOV A,#0x1 LCALL ?XSTACK_DISP0_8 MOVX A,@DPTR XRL A,#0xff JNZ ??OadCommandExecute_40 // 300 FlashFailed = 0; CLR A MOVX @DPTR,A // 301 // 302 HalFlashErase(61); ??OadCommandExecute_40: ; Setup parameters for call to function HalFlashErase MOV R1,#0x3d LCALL HalFlashErase & 0xFFFF // 303 // 304 for (addr = 0x1E800; addr < 0x1F000; addr=addr+128) //120912 根据清除地址检查是否清空 MOV DPTR,#__Constant_1e800 MOV R0,#?V0 + 0 LCALL ?L_MOV_X / 146 /************************************************************************************************** // 147 * @fn HalFlashErase // 148 * // 149 * @brief This function erases the specified page of the internal flash. // 150 * // 151 * input parameters // 152 * // 153 * @param pg - A valid flash page number to erase. // 154 * // 155 * output parameters // 156 * // 157 * None. // 158 * // 159 * @return None. // 160 ************************************************************************************************** // 161 */ RSEG NEAR_CODE:CODE:NOROOT(0) // 162 ROOT void HalFlashErase(UINT8 pg) HalFlashErase: CFI Block cfiBlock3 Using cfiCommon0 CFI Function HalFlashErase // 163 [ ; Saved register size: 0 ; Auto size: 0 // 164 while (FCTL & 0x80);//120912 判断Flash控制器是否忙碌,如果忙碌就先等待 ??HalFlashErase_0: MOV A,0xae MOV C,0xE0 /* A */.7 JC ??HalFlashErase_0 // 165 FADDRH = pg << 1; MOV A,R1 CLR C RLC A MOV 0xad,A // 166 asm("NOP"); NOP // 167 FWT = 0x2A; MOV 0xab,#0x2a // 168 FCTL = 0x01; MOV 0xae,#0x1 // 169 asm("NOP"); //160523(0024_1) NOP // 170 while (FCTL & 0x80);//120912 判断Flash控制器是否完成清除Flash的动作,如果未完成就等待 ??HalFlashErase_1: MOV A,0xae MOV C,0xE0 /* A */.7 JC ??HalFlashErase_1 // 171 asm("NOP"); NOP // 172 ] RET CFI EndBlock cfiBlock3 |
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