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实际实验中在栅源之间的TVS管型号为P6KE10CA(耐压8.2V)替换图中的P6KE8.2A-E3/54、P6KE13CA(耐压11.2V)替换图中的NSB12ANT3G,MOS管使用型号为SSH10N90A(Vdss=900v在实验中我们加的最高电压为800v但目前在加至400v后mos管就坏掉了)图中MOS管Vdss=500v(模拟电压最高500v)。实验中使用10kΩ的多圈电位器来调节栅极电压的大小以控制漏极电流。
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1个回答
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解决方案丰富,开发周期短。
如果到了中小功率等级(200W~400W),BCM BOOST PFC电路则更为合适,临界导通模式,既有DCM的优点,又可以克服其一些缺点,同时由于是变频控制,EMI的频谱很宽,单个频率点的能量幅值就小得多(在定频控制中,所有的能量都集中在开关频率的基波,二次谐波,三次谐波等谐波频率点上,所以幅值很大),电磁兼容性设计会更容易解决。jttqhh.cn |
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