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本帖最后由 王小毛 于 2016-11-25 13:42 编辑
请教一个关于5G射频信号TX/RX走线Layout的问题。两层板板厚1mm,中间介质FR-4厚度36mil,主芯片和主要元器件都在top层,bottom层是较完整的地。射频按50欧姆阻抗走线,线宽12mil包地5mil。 主芯片的Tx/Rx信号走线接RF Switch,switch开关信号走一段射频微带线末端是天线座子焊盘。现在主芯片控制RF Switch的信号可以走top层或bottom层,该如何考虑?控制信号走TOP层,保证射频通路下方bottom层地平面大且完整。 控制信号走BOTTOM层,保证TOP层完整. 3、以上两种方式的优劣判断应该从哪里着手呢?(地回流、射频信号质量、和快速切换的控制线间的相互干扰吗?) 考虑地回流,5G射频信号是主要从top层回流吗?认为是从射频走线两侧耦合回流对不对呢? 还是从bottom层回流呢,沿着射频线正下方的bottom地回流? 即高频信号电磁场是不是像下图中画的那样电流(红色线)从信号线下方走还是从两边走呢?或者我考虑的都不对? 4、对于这种看不见摸不着的电流很疑惑,如果用仿真看回流 还有 射频信号质量的话,是不是可以用SIwave时域仿真? 自己基础知识薄弱,这方面提高的话该如何下手呀? 真心捉急。 谢谢各位前辈了!!! |
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