[讨论]

超过 100 um大范围结构观察，如何做Cross Section？

2019-11-19 13:20:42 3575 芯片测试

0 ` 一般而言，若是小范围且局部的Cross section分析，我们会建议您使用Dual-Beam FIB，拥有边切边拍，让您快速取得结构图。然而，若是遇到PCB、TSV、3D Device、Solder Bump，等大范围结构观察(剖面>100um 或深度>50um以上)，且又希望可以定点分析，并同时取得影像下，以往Dual-Beam FIB(简称DB FIB)的蚀刻速度及范围有其极限，就不适合。因此宜特建议可以使用Plasma FIB(简称PFIB)，不仅拥有Dual-Beam FIB双枪设计，可以边切边拍，更重要的是，针对大范围的结构观察，不仅可完整呈现欲观察的结构，蚀刻效率更是传统Dual-Beam FIB的20倍以上，可有效缩短分析速率。 ` 0
2019-11-19 13:20:42　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 当大范围结构定点分析观察 Dual-Beam FIB满足不了时怎么办？ 2321 • 怎么分析Cross Couple的结构？ 2090 • 剖面/晶背研磨 (Cross-section/Backside) 4238 • 大范围触摸开关如何实现? 3443 • ad如何做pcb器件？ 1200 • 如何做100M的谐振放大？ 3815 • cpu如何做除法 15 • 如何做dfm 10 • llc开关如何实现大范围调压 1169 • 怎么产生更大范围的随机数？ 3781