特点：低漏源通态电阻 RDS（on），可选择的自动电流衰减模式，混合和慢速电流衰减模式，低功耗的同步整流，内部UVLO，兼容3.3和5 V逻辑电平。
细分：1（000），1/2（100），1/4（010），1/8（110）和1/16（111）
驱动能力： 直流供电8-35V 最大2A 的峰值电流
封装：QFN 5mm*5mm 高度0.9mm 裸露焊盘 不含铅 共28个触点
控制信号电压标准： 1》2.1V 0《1.65V 输入电压Vref《4V 输入电流Iref 《3uA
安全阈值：过流保护阈值 2.1A 热关断温度165 逻辑电平欠压保护 2.8V
提供内部同步整流控制电路以提高PWM操作期间的功耗。
内部电路保护包括：具有滞后的热关断，欠压锁定（UVLO）和临界电流保护，不需要特殊的开机顺序。
1. 操作说明：两个输出全桥电流和所有N沟道DMOS FET中的电流，都通过固定关断时间的PWM（脉宽调制）控制电路进行调节。外部电流检测电阻（RS1和RS2），参考电压（VREF）和输出其DAC的电压（反过来由转换器的输出控制）来共同 控制每个输出全桥的电流。。当步进时，如果新的输出电平低于其先前的输出电平，则将有源全桥的衰减模式设置为混合衰减。 如果新输出电平高于或等于其先前电平，则将有源全桥的衰减模式设置为慢衰减。 这种自动电流衰减选择，通过降低由电机的反电动势产生的电流波形失真来改善微步进性能。
2. 细分选择细则：MS1和MS3引脚具有100kΩ的下拉电阻，MS2引脚具有50kΩ的下拉电阻。 当改变细分时，直到下一个STEP上升沿改变才会生效。如果在驱动器没有复位的情况下更改了步进模式，并且必须保持绝对位置时，则必须在两个步进模式共有的步进位置更改步进模式，以避免丢失步数。 当器件掉电或由于TSD或过流事件而复位时，驱动器将被设置为默认（所有步进模式共用的起始位置）。
3. 衰减 ：通常混合衰减会用在 只有当在绕组中的电流从较高值变化到由驱动确定的较低值时。 对于大多数自动选择的混合衰减来说，自动选择混合衰减是很方便的，因为它可以在电流上升时将纹波降到最低，并在电流下降时防止错过的步骤。
对于某些需要以非常低的速度进行微调的应用场合，绕组中缺少反电动势会导致电流迅速增加，导致跳步。 如图2所示。
通过将ROSC引脚拉底，混合衰减设定为处于活动状态（100%），在上升和下降电流都是有效的，并且防失步。如图3所示。
如果没有出现问题，建议使用自动选择的混合衰减，因为它会产生降低的纹波电流。
4. 小电流驱动：适用于“在最短时间内，将输出电流从一个常态变化至 程序设定的较小的值”的情况。 为了防止这种突变，可以在电流波形的上升和下降沿将驱动设置为混合衰减模式。 该功能通过将ROSC引脚接地来实现。 在这种状态下，关闭时间内部设置为30μs。
5.复位RESET 输入： 设定驱动为初始状态，并关断所有驱动电流，所有 STEP输入都被屏蔽，直到该引脚被置高。
6.PWM电流控制：每个全桥由全控PWM电流控制电路控制，该电路将负载电流限制在期望值ITRIP以内。刚开始，由一对FET使能，电流流过电机绕组和电流检测电阻RSx。当RSx两端的电压等于DAC输出电压时，电流检测比较器重置PWM锁存器。然后锁存器关闭适当的源极驱动器并启动固定关断时间的衰减模式。通过选择R Sx和VREF引脚上的电压来设置电流限制的最大值。跨导功能通过电流的最大值近似于 I trip Max（A） ：
Rs 是检测电阻的阻值， Vref是Ref引脚的输入电压
在每一步的比较中 DAC的输出 会被减少到VREF。其输出电流如下：
7.衰减控制端：内部PWM电流控制电路使用单触发电路来控制DMOS FET持续关断时间。 关闭时间tOFF由ROSC终端决定。
a. ROSC接VDD - 关断时间内部设置为30μs，衰减模式为自动混合衰减，除非衰减模式设置为慢衰减，in full step。
b.ROSE接地 – 关断时间设定为30us，电流衰减被设置为混合衰减，用于增加或减少电流。除非衰减模式设置为慢衰减，in full step 。
c. ROSE 通过电阻接地，关断时间可设定，衰减模式设定为全局自动衰减。相关公式如下：
注：混合衰减可理解为强制全局衰减。
8. 短路负载和对地短路保护 ：
当发生短路事件时，会保护驱动器，并禁用使他避免损坏。当然在短路的情况下，驱动会被锁定，直到 sleep 健被置高，或者电源重启。 图4
当两路同时短路发生时（存在电流检测电阻去检测该电流值，并与固定的阈值比较），在间隙时间1us之后，仍存在过流现象会导致它进入固定的关断周期。改保护期过之后，会重复这个保护过程。图5
由于混合衰减功能实现的方向变化，观察正负电流尖峰是正常的。 如图6所示。在这两种情况下，过流电路都能保护驱动器并防止损坏器件。
特点：低漏源通态电阻 RDS（on），可选择的自动电流衰减模式，混合和慢速电流衰减模式，低功耗的同步整流，内部UVLO，兼容3.3和5 V逻辑电平。
细分：1（000），1/2（100），1/4（010），1/8（110）和1/16（111）
驱动能力： 直流供电8-35V 最大2A 的峰值电流
封装：QFN 5mm*5mm 高度0.9mm 裸露焊盘 不含铅 共28个触点
控制信号电压标准： 1》2.1V 0《1.65V 输入电压Vref《4V 输入电流Iref 《3uA
安全阈值：过流保护阈值 2.1A 热关断温度165 逻辑电平欠压保护 2.8V
提供内部同步整流控制电路以提高PWM操作期间的功耗。
内部电路保护包括：具有滞后的热关断，欠压锁定（UVLO）和临界电流保护，不需要特殊的开机顺序。
1. 操作说明：两个输出全桥电流和所有N沟道DMOS FET中的电流，都通过固定关断时间的PWM（脉宽调制）控制电路进行调节。外部电流检测电阻（RS1和RS2），参考电压（VREF）和输出其DAC的电压（反过来由转换器的输出控制）来共同 控制每个输出全桥的电流。。当步进时，如果新的输出电平低于其先前的输出电平，则将有源全桥的衰减模式设置为混合衰减。 如果新输出电平高于或等于其先前电平，则将有源全桥的衰减模式设置为慢衰减。 这种自动电流衰减选择，通过降低由电机的反电动势产生的电流波形失真来改善微步进性能。
2. 细分选择细则：MS1和MS3引脚具有100kΩ的下拉电阻，MS2引脚具有50kΩ的下拉电阻。 当改变细分时，直到下一个STEP上升沿改变才会生效。如果在驱动器没有复位的情况下更改了步进模式，并且必须保持绝对位置时，则必须在两个步进模式共有的步进位置更改步进模式，以避免丢失步数。 当器件掉电或由于TSD或过流事件而复位时，驱动器将被设置为默认（所有步进模式共用的起始位置）。
3. 衰减 ：通常混合衰减会用在 只有当在绕组中的电流从较高值变化到由驱动确定的较低值时。 对于大多数自动选择的混合衰减来说，自动选择混合衰减是很方便的，因为它可以在电流上升时将纹波降到最低，并在电流下降时防止错过的步骤。
对于某些需要以非常低的速度进行微调的应用场合，绕组中缺少反电动势会导致电流迅速增加，导致跳步。 如图2所示。
通过将ROSC引脚拉底，混合衰减设定为处于活动状态（100%），在上升和下降电流都是有效的，并且防失步。如图3所示。
如果没有出现问题，建议使用自动选择的混合衰减，因为它会产生降低的纹波电流。
4. 小电流驱动：适用于“在最短时间内，将输出电流从一个常态变化至 程序设定的较小的值”的情况。 为了防止这种突变，可以在电流波形的上升和下降沿将驱动设置为混合衰减模式。 该功能通过将ROSC引脚接地来实现。 在这种状态下，关闭时间内部设置为30μs。
5.复位RESET 输入： 设定驱动为初始状态，并关断所有驱动电流，所有 STEP输入都被屏蔽，直到该引脚被置高。
6.PWM电流控制：每个全桥由全控PWM电流控制电路控制，该电路将负载电流限制在期望值ITRIP以内。刚开始，由一对FET使能，电流流过电机绕组和电流检测电阻RSx。当RSx两端的电压等于DAC输出电压时，电流检测比较器重置PWM锁存器。然后锁存器关闭适当的源极驱动器并启动固定关断时间的衰减模式。通过选择R Sx和VREF引脚上的电压来设置电流限制的最大值。跨导功能通过电流的最大值近似于 I trip Max（A） ：
Rs 是检测电阻的阻值， Vref是Ref引脚的输入电压
在每一步的比较中 DAC的输出 会被减少到VREF。其输出电流如下：
7.衰减控制端：内部PWM电流控制电路使用单触发电路来控制DMOS FET持续关断时间。 关闭时间tOFF由ROSC终端决定。
a. ROSC接VDD - 关断时间内部设置为30μs，衰减模式为自动混合衰减，除非衰减模式设置为慢衰减，in full step。
b.ROSE接地 – 关断时间设定为30us，电流衰减被设置为混合衰减，用于增加或减少电流。除非衰减模式设置为慢衰减，in full step 。
c. ROSE 通过电阻接地，关断时间可设定，衰减模式设定为全局自动衰减。相关公式如下：
注：混合衰减可理解为强制全局衰减。
8. 短路负载和对地短路保护 ：
当发生短路事件时，会保护驱动器，并禁用使他避免损坏。当然在短路的情况下，驱动会被锁定，直到 sleep 健被置高，或者电源重启。 图4
当两路同时短路发生时（存在电流检测电阻去检测该电流值，并与固定的阈值比较），在间隙时间1us之后，仍存在过流现象会导致它进入固定的关断周期。改保护期过之后，会重复这个保护过程。图5
由于混合衰减功能实现的方向变化，观察正负电流尖峰是正常的。 如图6所示。在这两种情况下，过流电路都能保护驱动器并防止损坏器件。
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