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IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关
电源、照明
电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。
优点：
1)直接降低关断瞬间浪 涌电压，波形平滑
2)吸收电路功耗低
3)适用于中功率场合
缺点：
1)对电容C和二极管的 反向恢复特性要求都较高
2)吸收电路存在较高电感
3)须注意RC时间常数设计
650VIGBT模块VS-GT120DA65U现货参数
产品种类: IGBT 晶体管
制造商: Vishay
封装 / 箱体: SOT-227-4
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 167 A
Pd-功率耗散: 577 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
商标: Vishay Semiconductors
集电极最大连续电流 Ic: 167 A
栅极—射极漏泄电流: 660 nA
工厂包装数量: 160
海飞乐技术igbt模块可完全替换该产品
在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。
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