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对于page和burst相对standard device是有个相同的改变,那就是预缓存模式,它采取的是小范围的寻址方式。对于page 和burst 两种模式的区别来说,基本可以说是burst在speed和存取灵活度方面做了改进。
page或者burst和一般存取方式的区别就是一个预缓存模式。 当你对memory读取一个字节的时候,如果是page模式,那么memory芯片本身会把这个字节所属page的所有东西在后台 往缓存里面搬,如果要接着读取同一个page里面的东西,所需要的读取等待时间就少一些。 burst模式有点类似,不同的是page的长度和开始位置都是死的,而burst的长度和开始位置都可变。 |
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