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二极管的伏安特性及主要性能参数 2.5.2.1 二极管的伏安特性 1．正向特性： 二极管的正向特性对应图2-6 曲线的（1）段，此时二极管加正向电压，阳极电位高于阴极电位。当正向电压较小时（小于开启电压），二极管并不导通。硅材料的二极管开启电压约为0.5V，锗材料的二极管开启电压约为0.1V。 当正向电压足够大，超过开启电压后，内电场的作用被大大削弱，电流很快增加，二极管正向导通，此时硅二极管的正向导通压降在0.6~0.8V，典型值取0.7V；锗二极管的正向导通压降在0.1~0.3V，典型值取0.2V。 二极管正向导通时的电流和电压近似满足下式： 
2．反向特性 二极管的反向特性对应图2-6 所示曲线的（2）段，此时二极管加反向电压，阳极电位低于阴极电位。应注意到，硅管的反向电流要比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流一般小于0.1μA，锗管约为几个微安。 3．击穿特性 当二极管反向电压过高超过反向击穿电压时，二极管的反向电流急剧增加，对应图2-6 图中的 （3）段。由于这一段电流大、电压高， PN 结消耗的功率很大，容易使PN结过热烧坏，一般二极 管的反向电压在几十伏以上。 2.5.2.2 主要性能参数 1. 额定整流电流IF：二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流值。 2. 最高反向工作电压Urm：保证二极管不被击穿而给出的最高反向电压 3. 反向饱和漏电流Is ：二极管两端加反向电压时流过二极管的电流
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