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半导体二极管的伏安特性是什么？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 半导体二极管的伏安特性是什么？ 0
2021-6-15 06:17:58　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × gfhtrdfd 该类别下有 54 个回答。邀请回答 fejlkel 该类别下有 47 个回答。邀请回答 jefljel 该类别下有 40 个回答。邀请回答 fdvcxhtg 该类别下有 40 个回答。邀请回答 flewfjk 该类别下有 38 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 31 个回答。邀请回答 djelje 该类别下有 30 个回答。邀请回答 efwedfd 该类别下有 29 个回答。邀请回答 1123127317 该类别下有 29 个回答。邀请回答 yqdedli 该类别下有 27 个回答。邀请回答 ytrwv 该类别下有 25 个回答。邀请回答 tr12345 该类别下有 25 个回答。邀请回答 ejlwj 该类别下有 23 个回答。邀请回答 tr4578 该类别下有 23 个回答。邀请回答 djfldsthtr 该类别下有 22 个回答。邀请回答逸興遄飛该类别下有 21 个回答。邀请回答算一挂该类别下有 17 个回答。邀请回答一刀两断该类别下有 15 个回答。邀请回答 abc明星该类别下有 8 个回答。邀请回答北上北京该类别下有 8 个回答。邀请回答举报青sky 相关推荐 • 普通二极管和肖特基二极管的伏安特性如何 2593 • 温度对二极管的伏安特性有何影响 3046 • 如何利用二极管的伏安特性来测量CPU的温度？ 1591 • 怎样去计算二极管的电流与其端电压 1263 • 关于二极管伏安特性曲线的问题 6923 • 二极管伏安特性测试 5004 • 请问proteus里怎么修改二极管的伏安特性？ 5600 • 请问二极管的伏安特性 2337 • 半导体激光二极管TOLD9211是如何工作的 4331 • 二极管类型及特性参数 1726 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 1 　　半导体二极管两端的电压u与流过二极管的电流i之间的关系称为伏安特性。半导体二极管2CP10（硅二极管）和2AP15（锗二极管）的伏安特性曲线如下图所示。由图可见，硅管和锗管的伏安特性存在一定的差异。　　　　硅二极管（2CP10）的伏安特性曲线锗二极管（2AP15）的伏安特性曲线　　1.正向特性　　正向特性曲线近似地呈现指数特性。由于二极管的引线电阻、体电阻很小，电极间的漏电阻又很大，对二极管伏安特性的影响均不大，故可用PN结的伏安特性近似地表述二极管的伏安特性为　　　　式中，Is为反向饱和电流，室温下为常数；为加在二极管两端电压；为温度的电压当量，当温度为室温27℃时，≈26mV。　　当外加正向电压较小时，正向电流非常小，近似为零，二极管仍未完全导通，该区域称为“死区”。硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管的死区电压约为0.1V。　　当外加正向电压超过死区电压后，正向电流开始增加，二极管具有近似指数特征的正向伏安特性。这时二极管呈现的电阻很小，可以认为二极管处于充分导通状态。硅二极管的导通电压约为0.6~0.8V，锗二极管的导通电压约为0.2~0.3V。　　2.反向特性　　1）二极管反向偏置时，反向电流由少子漂移而成，所以在室温下反向电流很小，且几乎不随反向电压的变化而变化。小功率硅二极管的反向饱和电流Is一般小于0.1μA，锗管的Is约为几十到几百微安。　　2）当反向电压超过一定范围后，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。二极管发生反向击穿时所加的电压称为反向击穿电压。二极管发生反向击穿后，当反向电流还不太大时，二极管的功耗不大，PN结的温度不会超过允许的最高结温，二极管不会被破坏，只要降低反向电压，二极管仍能正常工作，这种击穿是可逆的，称为电击穿。若发生电击穿后，仍继续增加反向电压，反向电流也随之增大，二极管会因功耗过大使结温超过最高允许温度而破坏，造成二极管的永久性破坏，这种击穿是不可逆的，称为热击穿。这种情况是要避免的。

2021-6-15 18:52:22 评论举报杨嘉怡