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4个回答
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自举就是为了产生一个比电源电压更高的一个电压，来驱动上管的N MOS管，如果上管是P管，就用不到自举
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我也想知道，没有大神回复一下吗
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首先你要明白PMOS与NMOS的不同，要形成导电沟道，必须给NMOS的GS施加电压大于Vth，这个时候MOS管DS之间压差开始减小，由与漏栅之间的Cgd反向传输电容需要充电，故栅源极GS电压会维持一段时间称之为米勒平台，然后DS电压下降到比较低的点，继续增大GS电压可以使DS降的更低，这样MOS管上的功率损耗会小发热量也小。一般datasheet 上Vth为4.5V，但一般设定GS电压在10V-18V之间能比较好的工作。而PMOS则要使栅源GS产生一个负压差才可以。所以对于36V以下的功率不算很大的应用上管用PMOS，下管用NMOS就比较好用了。如果功率大了或者电压高了，基于成本和性能考虑，会采用NMOS来做上管，但是上管的源极是接在电机的一端电电位不被固定所以必须要使其栅极能够浮高一个驱动电压维持导通，所以自举电容被用来干这件事，下管导通时，自举电容充电，下管截止上管要导通时由电容维持导通。
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2018-1-28 14:38:18
评论
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用两个2184S做H桥 驱动4个MOS管。
SLM2003S(IR2003S) SLM2004S(IR2004S) SLM2103S(IR2103S) SLM2104S(IR2104S) SLM2108S(IR2108S) SLM2184S（IR2184S） （以上HVIC GATE Driver 驱动芯片可以PIN对PIN完全代替IR系列驱动芯片) 欢迎索样。 |
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