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我想问一下，我想用0到+15V的方波驱动全桥的4个MOSFET，但是老师说要先让这个方波经过IR2110，再去驱动MOSFET，请问这个IR2110有什么作用？不能直接把方波用来驱动MOSFET吗？
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17个回答
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我以前搭过这个驱动电路，上臂mos不能正常工作,电源电压24v,但上臂mos栅极给12v，输出只有9v多。
因为，理想输出电压是24v。但当mos导通时，随着输出端由0v开始上升到9v多时，此时源极电压已经是9v多，而栅极为12v,输出电压不能再上升了，否则管子就截止了。除非将栅极电压上升到28v左右，才能将上臂mos完全导通。 你可以去ir官网查它的驱动资料，上面列举了其产品优势，其中有一条就是解决了这个问题，通过自举电容可以使电压达到28v，比系统的最高供电电压要高3v左右。
最佳答案
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估计是用来隔离、保护等用途。直接驱动不能隔离，还要设计保护电路等。
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来驱动全桥的上管
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关键您的0-15v方波是用什么产生的？IR2110驱动器。它兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种，波形也非常标准。
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0-15v无法直接驱动全桥上臂开关管，因为其源极电压为电源电压，栅源极电压无法达到开启电压。而驱动芯片中有自举电路，能将栅极电压升到超过电源电压，为系统最高电压。此时上臂开关管才能正常导通。
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qingcaodi128 发表于 2016-3-1 10:48 我的方波是由一个DC-DC转换器的电路产生的，我以为IR2110是为了保护H桥的电路 |
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2016-3-1 16:55:36
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fatmouse 发表于 2016-3-1 14:54 源极电压是电源电压我明白，为什么栅源极电压无法达到开启电压？如果我的电源电压是30V，要多少伏的栅源极电压？ |
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2016-3-1 16:59:34
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2016-3-1 17:00:23
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本帖最后由 列兵老虎 于 2016-3-1 17:33 编辑
常见场效应管Vgs±20V，超过有可能损坏管子。如果驱动电压高则一定要加保护电路。 驱动是低压小电流，后级可能是高压大电流，为了前级安全，可以用光耦、变压器等方式隔离驱动。 隔离与保护都需要你来设计电路，专用驱动IC简化了电路设计，可靠性高、性能好。 我没看到你的具体电路，15V无需过压保护。要求不高时，用几个三极管搭个简单驱动电路就行。 |
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补充：mos导通条件请查阅模电书籍。
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fatmouse 发表于 2016-3-1 18:23 电路图是这样子的吗？左边的HIN和LIN，还有右边的HO和LO分别是什么？ |
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2016-3-2 04:47:50
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给楼主两个电路参考： 场效应管电机驱动-MOS管H桥原理 http://www.dzkf.cn/html/zonghejishu/2010/0916/4017.html
关于直流电机 H 桥驱动方案的选择 http://www.embedream.com/b***/2009-03-09/76.html |
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列兵老虎 发表于 2016-3-2 07:17 在这个电路图上，如果Vcc和Vdd都是正的15V，那电源的负极要接在哪里？HIN如果输入0到+15V方波，HO输出应该是什么样的波形？
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2016-3-3 05:23:24
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电源负极接在Vss引脚上； HIN输入+15V方波时，HO输出+25V~+35V之间的方波 |
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光耦隔离和电磁隔离的作用
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产品特点：
*输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A *高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V *适应5V，3.3V 15V输入可方便与TTL，CMOS电平相匹配。 *最高频率支持500KHZ *输出的电源端的电压范围：10-20V *ton/off 时间：130ns/120ns * Deley Macthing (type) 10ns *允许逻辑电路参考地VSS 与功率电路参考地COM之间的5V正负偏移量。 内建死区控制电路 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通 HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出 LIN 输入通道高电平有效，控制低端LO 输出 外围器件少 静态电流小于5uA，非常适合电池场合 |
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给你看看SLM2110S产品的特点先，
*输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A *高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V *适应5V，3.3V 15V输入可方便与TTL，CMOS电平相匹配。 *最高频率支持500KHZ *输出的电源端的电压范围：10-20V *ton/off 时间：130ns/120ns * Deley Macthing (type) 10ns *允许逻辑电路参考地VSS 与功率电路参考地COM之间的5V正负偏移量。 你就知道2110S的作用了。 |
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