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本帖最后由 iweimo 于 2014-10-20 15:07 编辑 先分享光刻的参考资料。 
7. Fundamental Principles of Optical Lithography - The Science of Microfabricati.pdf
(7.81 MB, 下载次数: 485
)
5. Principles of Lithography_Third Edition_by Harry J. Levinson (2010).z01
(10 MB, 下载次数: 482
)
5. Principles of Lithography_Third Edition_by Harry J. Levinson (2010).zip
(5.83 MB, 下载次数: 497
)
============================2014-10-17======== 光刻分类 
如上图所示，光刻可分为三类，接触光刻、接近光刻和投影光刻。 接触光刻：顾名思义，mask和wafer是相互接触的，这种方式能保证较高的resolution（接近波长），但是缺点很明显，mask容易损坏。 接近光刻：mask和wafer保持了一定距离，从而保护了mask，但是牺牲了resolution（~（根号gλ））g=mask-wafer之间距离。 投影光刻：通过投影的方式将mask的图案转移到wafer上。结合了前两者的优点，并克服了前两者的缺点。Resolution=k1λ/NA ============================2014-10-20======== 常用的光源有 水银灯：波长300~500nm KrF：波长248.8nm ArF：波长193nm 衍射效应对光刻图案的影响
左图是理想的光强分布，由于光的衍射效应，实际的光强分布如右图所示。当光的波长与mask的特征尺寸可比时，会产生明显的衍射效应。
如上图所示，透过mask的光相互叠加，使得不该受到光照的区域被曝光。 
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很好，收下，谢谢
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正需要，多谢作者！
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