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应用工程师(IGBT 中压mos)-上海
1、本科及以上学历,具有几年以上从事功率半导体器件设计开发的经验。 </P> 2、掌握半导体基础理论以及熟悉IGBT 中压mos理论。 3、掌握平面型、沟槽IGBT的Wafer工艺。 4、熟悉IGBT封装工艺,具备IGBT测试、评价能力。 5、具有专案管理经验及良好的沟通协调能力。(做过IGBT 中压mos相关项目者优先)欢迎朋友自荐或推荐! 我的QQ:2860394305 电话:0755-66606920 有意者简历可发:carry.wang@yaxunhr.com |
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