功率半导体

2.2  器件物理基础与晶闸管的额定参数
(第三讲)

2.2.1常用开关器件及分类
 
2.2.1常用开关器件及分类
按照器件关断方式可分为：
换流关断型( Thyristor )
    ——利用施加反向电压使电流反向而实现器件关断。
自关断型( 功率晶体管、GTO、电压型器件 )
    ——仅通过在控制端和公共端之间施加一正的电压信号实现导通，施加一负的电压信号实现关断的器件。

2.2.1常用开关器件及分类
按照器件触发方式可分为：
电触发型(Thyristor、MOS器件)
  ——门极用电信号来触发使其开通的器件。
光触发型(LTT)
  ——用光直接来触发使其开通的器件。
热触发型(温控晶闸管)
  ——当温度达到某一值，热激发使之开通的器件。

2.2  器件物理基础与晶闸管的额定参数
(第三讲)

2.2.1常用开关器件及分类
 
2.2.1常用开关器件及分类
按照器件关断方式可分为：
换流关断型( Thyristor )
    ——利用施加反向电压使电流反向而实现器件关断。
自关断型( 功率晶体管、GTO、电压型器件 )
    ——仅通过在控制端和公共端之间施加一正的电压信号实现导通，施加一负的电压信号实现关断的器件。

2.2.1常用开关器件及分类
按照器件触发方式可分为：
电触发型(Thyristor、MOS器件)
  ——门极用电信号来触发使其开通的器件。
光触发型(LTT)
  ——用光直接来触发使其开通的器件。
热触发型(温控晶闸管)
  ——当温度达到某一值，热激发使之开通的器件。

2.3 晶闸管的主要特性
本节主要内容 2.3.1晶闸管的断态特性
晶闸管阻断模式
       (1)PN结的雪崩击穿、穿通效应
       (2)晶闸管的阻断电压
       (3)晶闸管的最小长基区宽度Wn(min)
器件的结终端技术
       (1)表面态与表面电场
       (2)结终端技术
2.3.2晶闸管的通态特性
       (1)晶闸管的通态电压
       (2)功耗
2.3.1晶闸管的断态特性(续）
（1） p+n结的击穿电压
雪崩击穿电压：
碰撞电离的强弱程度通常用电离率来表示，有如下经验公式：式中a、b、n 均为常数。

 title="功率半导体器件" href="https://www.elecfans.com/soft/72/2008/200808035913.html" target="_blank">功率半导体器件