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2.2 器件物理基础与晶闸管的额定参数 (第三讲)
2.2.1常用开关器件及分类 2.2.1常用开关器件及分类按照器件关断方式可分为:换流关断型( Thyristor ) ——利用施加反向电压使电流反向而实现器件关断。自关断型( 功率晶体管、GTO、电压型器件 ) ——仅通过在控制端和公共端之间施加一正的电压信号实现导通,施加一负的电压信号实现关断的器件。
2.2.1常用开关器件及分类按照器件触发方式可分为:电触发型(Thyristor、MOS器件) ——门极用电信号来触发使其开通的器件。光触发型(LTT) ——用光直接来触发使其开通的器件。热触发型(温控晶闸管) ——当温度达到某一值,热激发使之开通的器件。
2.3 晶闸管的主要特性本节主要内容 2.3.1晶闸管的断态特性晶闸管阻断模式 (1)PN结的雪崩击穿、穿通效应 (2)晶闸管的阻断电压 (3)晶闸管的最小长基区宽度Wn(min)器件的结终端技术 (1)表面态与表面电场 (2)结终端技术2.3.2晶闸管的通态特性 (1)晶闸管的通态电压 (2)功耗2.3.1晶闸管的断态特性(续)(1) p+n结的击穿电压雪崩击穿电压:碰撞电离的强弱程度通常用电离率来表示,有如下经验公式:式中a、b、n 均为常数。
title="功率半导体器件" href="https://www.elecfans.com/soft/72/2008/200808035913.html" target="_blank">功率半导体器件
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