功率半导体

<font face="Verdana">
<p><font face="Verdana">2.2&nbsp; 器件物理基础与晶闸管的额定参数 <br/>(第三讲)</font></p>
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<p><font face="Verdana">2.2.1常用开关器件及分类<br/>&nbsp;<br/>2.2.1常用开关器件及分类<br/>按照器件关断方式可分为：<br/>换流关断型( Thyristor )<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp; ——利用施加反向电压使电流反向而实现器件关断。<br/>自关断型( 功率晶体管、GTO、电压型器件 )<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp; ——仅通过在控制端和公共端之间施加一正的电压信号实现导通，施加一负的电压信号实现关断的器件。</font></p>
<p><font face="Verdana">2.2.1常用开关器件及分类<br/>按照器件触发方式可分为：<br/>电触发型(Thyristor、MOS器件)<br/>&nbsp; ——门极用电信号来触发使其开通的器件。<br/>光触发型(LTT)<br/>&nbsp; ——用光直接来触发使其开通的器件。<br/>热触发型(温控晶闸管)<br/>&nbsp; ——当温度达到某一值，热激发使之开通的器件。</font></p>
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<p><font face="Verdana">2.2&nbsp; 器件物理基础与晶闸管的额定参数 <br/>(第三讲)</font></p>
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<p><font face="Verdana">2.2.1常用开关器件及分类<br/>&nbsp;<br/>2.2.1常用开关器件及分类<br/>按照器件关断方式可分为：<br/>换流关断型( Thyristor )<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp; ——利用施加反向电压使电流反向而实现器件关断。<br/>自关断型( 功率晶体管、GTO、电压型器件 )<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp; ——仅通过在控制端和公共端之间施加一正的电压信号实现导通，施加一负的电压信号实现关断的器件。</font></p>
<p><font face="Verdana">2.2.1常用开关器件及分类<br/>按照器件触发方式可分为：<br/>电触发型(Thyristor、MOS器件)<br/>&nbsp; ——门极用电信号来触发使其开通的器件。<br/>光触发型(LTT)<br/>&nbsp; ——用光直接来触发使其开通的器件。<br/>热触发型(温控晶闸管)<br/>&nbsp; ——当温度达到某一值，热激发使之开通的器件。<br/></font></p>
<p><font face="Verdana">2.3 晶闸管的主要特性<br/>本节主要内容 2.3.1晶闸管的断态特性<br/>晶闸管阻断模式 <br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; (1)PN结的雪崩击穿、穿通效应<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; (2)晶闸管的阻断电压<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; (3)晶闸管的最小长基区宽度Wn(min)<br/>器件的结终端技术<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; (1)表面态与表面电场<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; (2)结终端技术<br/>2.3.2晶闸管的通态特性<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; (1)晶闸管的通态电压<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; (2)功耗<br/>2.3.1晶闸管的断态特性(续）<br/>（1） p+n结的击穿电压<br/>雪崩击穿电压：<br/>碰撞电离的强弱程度通常用电离率来表示，有如下经验公式：</font><font face="Verdana">式中a、b、n 均为常数。 <br/></font></p>
<p>&nbsp;<a class="showtopic" title="功率半导体器件" href="https://www.elecfans.com/soft/72/2008/200808035913.html" target="_blank"><font color="red">功率半</font>导体器件 </a></p></font>