如何让三极管工作在饱和区

这时，三极管工作在倒置状态。

下面是网上找到的资料：

什么是三极管的倒置状态及其作用？
来源：互联网 作者：
1、什么是三极管的倒置状态?

集电结正偏，发射结反偏，为倒置状态;集电结正偏，发射结正偏，为饱和状态;集电结反偏，发射结反偏，为倒截止态;集电结反偏，发射结正偏，为放大状态;

2、对三极管倒置状态的分析

实际上，当NPN型三极管的三个电极电位关系为UE>UB>UC 时，三极管内两个PN结的状态为be结反偏，bc结正偏。这时三极管工作在“倒置”状态。倒置状态的三极管其工作原理与放大状态相似，bc结正偏时，集电区发射电子，一部分自由电子在基区和空穴复合形成基极电流，另一部分电子被反偏的发射结“收集”形成发射极电流。倒置时由于三极管集电区掺杂浓度不高，发射的电子少，同时由于发射区面积小，最终收集的电子也少，形成的电流很小，因此三极管没有放大能力。倒置状态的三极管β是小于1的。当增大“倒置”三极管的基极电流时，倒置的三极管也可以进入饱和状态，但这时基极电流较大，同时管子的导通压降比正接时要小得多。

3、对三极管倒置放大的理解

①三极管工作于倒置状态时相当于把发射极与集电极对调使用(即集电极当作发射极使用，发射极当作集电极使用)，倒置时的三极管同样具有三种工作状态。但是等效集电极电流(IE)与基极电流的比值即β要比正接时小得多，所以要使倒置的三极管进入饱和区，所需的基极驱动电流要比正接时大得多，但是倒置时的管压降要比正接时的小。

4、三极管倒置状态的应用

①TTL 数字集成电路中作为信号输入用的多发射极三极管， 当输入为高电平1 时，就是一个倒置使用的三极管。三极管在倒置使用时，它的两个PN 结的偏置情况与工作在放大状态时是相反的：发射结反向偏置，集电结正向偏置。因此，集电结可能烧毁，而发射结可能击穿。但是，由于工作于倒置状态的三极管的电压放大倍数β通常很小， 如平面三极管倒置使用时的β值约为0.1～0.5，因此一般不会出现烧坏的情况。目前已经很少使用三极管作倒置状态。

②在使用万用表检测判断三极管的三个电极时，可以通过“三颠倒”方法找到基极和并判断三极管的管型，而集电极和发射极的判断就需使用三极管的倒置状态。以NPN型三极管为例，万用表选择欧姆档的R×100 或R×1K量程，按照图1所示，用手指捏住三极管的基极和未知电极，将万用表黑表笔接未知电极Y，红表笔接X极，观察表针偏转角度。再按照图2所示连接，观察表针偏转角度。比较两次指针偏转角度，偏转大的那一次黑表笔接的是集电极。这种判断方法的两种接线方式对应了三极管的两种状态：放大状态和倒置状态。其中指针偏转小的那次，黑表笔(万用表内直流电源正极)接三极管的发射极。此时，三极管三个电极的电位关系为UE>UB>UC ，三极管工作在倒置状态，万用表表针偏转所通过的电流为发射极电流，因为这个电流较小，所以指针偏转较小。另一种接线方式对应为三极管的放大状态，通过指针的电流为集电极电流这个电流较大，对应万用表的指针偏转也较大。



单片机的I/O端口接5.1K电阻接PNP三极管基极，发射极接正电源，集电极接一发光二极光并串联一个二极管接地。

当单片机输出高电平时，基极电压为高电平，三极管载止，相当于三极管发射结截止，三极管载止，UCE=UCC。

当单片机输入低电平时，发射结正偏，三极管导通，此时UCE=0.3V，集电极电位纸比电源电压低0.3V，而基极电位比电源电压低0.7V，所以两个结均正偏，三极管工作在饱和状态。

本帖最后由 dazhanhongtu 于 2013-9-4 23:01 编辑

补充一下我对三极管工作在饱和状态的理解，我觉得书上说的不全面：

1、三极管达到饱和状态的主要特征是：Ic/Ib 的值不大，没有多少电流放大作用，适合当开关使用。



2、有“两种方法”可以使三极管达到饱和状态：


        1> bc 结和 be 结都正偏，如果增加 Ib 的值，Ic 的值不会明显增加，三极管达到饱和区。


        2> 三极管的 be 结正偏，bc 结反偏，三极管处于放大区。此时使 Ib 的值足够大，那么 Ic 被放大的倍数就相对很小了，

              失去了电流放大的作用， 此时可将三极管视为饱和“状态”。

be结要<0.7V的话，ce两端的压降多大？而且bc结要正偏，如果在单电源的供电的情况下集电极接VCC，那么要怎样才能使bc结正偏

这个地方写错了，已改正。

找本教材系统的看一下吧

现在似乎明白了，多谢了。

搞不清楚！很想学习下！

如果是这个图的话，为何处于饱和状态？