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pn结和pin结是两种最基本的器件结构,也是两种重要的二极管。从结构和导电机理上来说,它们有许多共同点,但是也存在不少的差异。 l 相同点: (1)都存在空间电荷区和势垒区,则都有势垒电容; (2)都具有单向导电性和相应的整流作用,则都可用作为二极管; (3)在高的反向电压下,都有可能发生绝缘击穿的现象,因此都存在有最高工作电压的限制; (4)都具有感光作用,可以作为光电二极管和光电池等光电子器件。 l 不同点: (1)空间电荷区: pn结的空间电荷区就是界面附近的区域,其中存在较强的内建电场,使得载流子往往被驱赶出去了,故一般可近似为耗尽层。 pin结的空间电荷区是在i型层(本征层)两边的界面附近处,则有两个空间电荷区(即p-i和n-i两个界面的空间电荷区),一个空间电荷区包含有正电荷,另一个空间电荷区包含有负电荷,这些空间电荷所产生的电场——内建电场的电力线就穿过i型层。 (2)势垒区: pn结中阻挡载流子运动的区域,即存在内建电场的区域就是势垒区;pn结的势垒区也就是空间电荷区,即空间电荷区与势垒区是一致的。 但是pin结中存在内建电场的区域是整个i型层加上两边的空间电荷区,因此势垒区很宽(主要就是i型层的厚度),这时势垒区与空间电荷区并不完全一致(势垒厚度远大于空间电荷区)。 (3)势垒电容: pn结的势垒电容也就是空间电荷区的电容,而空间电荷区的厚度与外加电压有关,则势垒电容是一种非线性电容;并且pn结的势垒电容也与两边半导体的掺杂浓度和温度有关(掺杂浓度越大,或者温度越高,势垒厚度就越小,则电容也就越大)。 但是pin结的势垒电容基本上就是i型层的电容,因此该势垒电容是一种线性电容;并且pin结的势垒电容与两边半导体的掺杂浓度和温度基本上没有什么关系。由于i型层较厚,则pin结的势垒电容很小,因此可用作为微波二极管。 (4)导电机理: pn结的电流主要是注入到势垒区两边扩散区中少数载流子的扩散电流,这就意味着:通过pn结的电流是少数载流子扩散电流,并且少数载流子的扩散是在势垒区以外的扩散区中进行的。而势垒区的影响只是其中复合中心提供少量的复合-产生电流(只在低电压时起重要作用)。 但是pin结的电流主要是较宽的势垒区(~i型层)中的复合电流。因此在通过的电流的性质上,与一般pn结的大不相同。虽然它们的伏安特性基本上都是指数式上升的曲线关系,但是上升的速度却有一定的差别,pin结的正向伏安特性曲线上升得稍慢一点,如图1所示。
图1 两种结的伏安特性比较 (5)势垒高度和正向压降:
热平衡时pn结和pin结的势垒高度(~内建电势Vo与电子电荷q的乘积),原则上都由两边半导体的Fermi能级所决定,因此基本上都是一样的。可以想见,不管在n区和p区之间的半导体状况怎样(是否有本征半导体或者有高阻半导体), 但是pn结和pin结的导通电压却大不相同。对于通常的pn结,因为其中的势垒区是强电场区域,则pn结在导通时,势垒区上不会产生压降,因此pn结的正向压降VF就主要决定于势垒高度(最大不可能超过内建电势V0)。对于pin结,它的导通压降应该包含有三个部分:i区上的压降及其两端势垒的压降。如果i区的长度小于载流子的扩散长度(L=√(Dτ)),则从两端注入的载流子就能够分布到整个i区,并且属于大注入情况,从而会产生电导调制效应,使得绝缘性的i区能很好导电,同时i区中还存在着电场,于是造成i区的压降几乎为0,所以这种pin结的正向压降就主要是i区两端势垒上的压降;而该两端势垒的高度较低,所以不需要多大的正向电压就能够注入载流子,则两端势垒的正向压降也都较低。总之,短i区的pin结的正向压降要显著地小于普通pn结的正向压降。如图2(b)所示。对于许多功率半导体器件,由于它在导通工作时都可近似地等效为一个正偏的pin结,因此作为耐压层或者漂移区的i层的厚度就应该与载流子的扩散长度相当(所以要选取适当长一些的载流子寿命),这样才能产生电导调制效应而降低漂移区的电阻,以降低整个器件的导通电阻。 然而,对于较长i区的pin结,其正向压降将会大大增加,因为这时注入到i区的载流子不能扩散到中部区域,则i区就不能产生很好的电导调制效应,所以i区的电阻较大,从而导致i区的压降显著增大。
图2 pn结和pin结在热平衡以及在正偏时的能带图 (6)工作电压: pn结的势垒厚度一般较薄,并且电场在pn结界面处最大,则容易发生雪崩击穿,从而承受的反向电压有限。 但是pin结的势垒厚度很大(~i型层),并且电场在i型层中的分布基本上是均匀的,则不容易发生雪崩击穿,能够承受很大的反向电压,从而pin结二极管可用作为高电压大功率器件。 (7)感光(探测)灵敏度: 作为光电子器件(光电二极管、红外探测器、太阳电池等)使用时,感光(探测)灵敏度主要决定于势垒区的宽度。 pn结因为势垒厚度较薄,则感光灵敏度较小。 但是pin结由于它的势垒厚度很大(~i型层),则能够吸收大量的光子、并转换为载流子——光生载流子,所以感光和探测辐射的灵敏度很高。 |
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通过pn结的电流是扩散电流,通过结面前是多子,越过结面后就变成少子,而漂移(PN结反向的)电流的身份则永远是少子,少数载流子的扩散是在势垒区以外的扩散区中进行的,载流子扩散过程中会复合,在由结面至复合位置的距离叫做扩散长度,
而势垒区的影响只是其中复合中心提供少量的复合-产生电流,这复合中心是个缺陷,会影响PN结行使其他功能时的效率,跟前述的结外复合是两码事, 对于许多功率半导体器件,由于它在导通工作时都可近似地等效为一个正偏的pin结,这句话我不解,等啥效呢,除非这些器件本来就是以PIN格式定制的吧, 长i区的pin结,注入到i区的载流子不能扩散到中部区域,则i区就不能产生很好的电导调制效应,所以i区的电阻较大,从而导致i区的压降显著增大?这应该是载流子扩散到半途就已复合掉才对吧, PN结以结面为势垒,电场在结面极度集中,使PN结容易发生雪崩击穿,从而承受的反向电压有限,而pin结的势垒厚度就是整个 i层,故能承受很大的反向电压,对不对? 还有第8点,LED的机制是复合发光,所以,新一代的LED都做成pin的,让载流子都集中于 i层来复合放光(而不是那个甚么复合中心)。 |
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很好的资料,谢谢楼主分享!!
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有一点不理解
5)中PIN结 i区 和 P区/N区 接触的部分, 能带为何不是平缓变化,而出现一个骤降-上升-再下降的过程? 另有一点不同意楼主看法 6) pn结的势垒厚度一般较薄,并且电场在pn结界面处最大,则容易发生雪崩击穿,从而承受的反向电压有限。 》》》电场虽强,但掺杂浓度高、耗尽层太薄、载流子未轰击中性原子就飞出了耗尽层,应该是更不容易发生雪崩击穿,倒是更容易发生齐纳击穿吧? 但是pin结的势垒厚度很大(~i型层),并且电场在i型层中的分布基本上是均匀的,则不容易发生雪崩击穿,能够承受很大的反向电压,从而pin结二极管可用作为高电压大功率器件。 》》》这个和上面一个道理,耗尽层变大、载流子未轰击中性原子的几率增大,应该是更容易发生雪崩击穿 |
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