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P-n结是通过连接n型和p型半导体材料形成的,如下图所示。然而,在p-n结中,当电子和空穴移动到结的另一侧时,它们会在掺杂原子位点上留下暴露的电荷,这些电荷固定在晶格中并且无法移动。
在硅掺杂中,有两种类型的杂质:n型和p型。在n型掺杂中,砷或磷少量添加到硅中。。..在p型掺杂中,硼或镓用作掺杂剂。这些元素的外轨道上都有三个电子。
PN结二极管是最简单的半导体器件之一,其特性是仅在一个方向上通过电流。通过施加负电压(反向偏置)导致自由电荷从结中拉开,从而导致耗尽层宽度增加。
一旦克服了势垒电压,正向偏置PN结就会传导电流。外部施加的电位迫使大多数载流子朝向发生复合的结点,从而允许电流流动。反向偏置PN结几乎不导电流。
p-n结二极管是一种双端子器件,允许一个方向的电流,并阻止另一个方向的电流。在正向偏置条件下,二极管允许电流,而在反向偏置条件下,二极管不允许电流。 |
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