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去耦电容容量别瞎猜!《高速数字设计》第6章教你量化计算,精准选型 在高速数字电路设计中,去耦电容选多大容量是个难点。《高速数字设计》第6章“去耦电容的容量需求分析:知己知彼”,把这个问题进行了量化分析,干货满满。 一、倍乘系数法:适合简单场景的直接选型 针对负载电容可明确的场景,章节提出倍乘系数法:去耦电容容量需为负载电容的25-100倍,公式为 Ce = Km Cl ( Km 为倍乘系数,通常取25-100)。 以CMOS逻辑非门为例,若负载电容 CL = 21pF ,取 Km = 50 ,则去耦电容至少需 21pF × 50 = 1050pF ;若10个同配置逻辑门同时工作,总容量需进一步放大为 1050pF × 10 = 10.5nF 。这种方法逻辑直接,适合简单电路的快速估算。 二、功耗电容法 实际工程中,复杂IC的负载电容往往难以精准测量。章节引入功耗电容概念,通过动态功耗反推等效负载电容,公式为 PD = CPD VCC}^2 *f ( PD 为动态功耗, VCC为供电电压, f 为开关频率)。 本章节以74HC04为例,通过公式及讲解推导了去耦电容容量。 三、电压波动约束法:从电源稳定性角度倒推容量 本章节还从“允许的供电电压变化量”角度,推导了容量计算公式。 这种方法直接关联电源噪声指标,能精准控制电压波动,适用于对电源完整性要求严苛的场景。 总结:三种方法覆盖不同设计场景
这章把去耦电容容量选型讲的非常通俗易懂,无论是入门新手还是资深工程师,都能找到适配的方法。 |
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