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SiLM27512EM-DG 20V/4A-5A高速单通道低边门极驱动器，替代分立方案优选

2025-8-19 08:18:42 1885 门极驱动器非隔离驱动

0 一款高性能、高性价比的单通道低边门极驱动器——SiLM27512EM-DG，专为高效驱动MOSFET和IGBT等功率开关而设计，特别适合对开关速度和驱动能力有要求的应用场景，是替代传统分立NPN/PNP方案的理想升级之选。核心性能：高速与大电流驱动强劲驱动：在12V VDD供电下，可提供高达4A峰值源电流和5A峰值灌电流，确保快速、可靠地开关功率器件。极速响应：拥有极低的传播延迟（典型值仅18ns）以及快速的上升/下降时间（典型值7ns/5ns），显著提升系统开关频率和效率。低直通设计：内部优化设计有效抑制直通电流，保障驱动安全性和可靠性。轨到轨驱动：输出驱动能力接近电源轨，提供接近VDD和GND的强驱动电压，最大化功率器件的导通和关断效果。关键优势与特性：宽电源范围：单电源供电范围4.5V 至 20V，兼容多种系统电压。安全可靠： VDD欠压闭锁(UVLO)：防止电源电压不足时误操作，确保系统安全。输入浮空保护：当输入引脚悬空时，输出默认保持低电平，防止功率器件误导通。灵活输入：双输入引脚设计：支持反相或非反相驱动配置（IN+和IN-），提供设计灵活性。宽逻辑兼容：输入阈值兼容TTL和CMOS电平，易于连接各类控制器。工业级温度：宽工作温度范围 -40°C 至 +140°C，满足严苛工业环境要求。紧凑封装：采用小巧的 DFN3x3-6 封装，节省PCB空间。典型应用：开关电源（SMPS）中的MOSFET/IGBT驱动（尤其是低边开关）电机驱动控制电路直流-直流（DC-DC）转换器需要高速、强驱动能力的低边开关场景替代分立NPN/PNP三极管驱动方案，提升性能与集成度总结： SiLM27512EM-DG集高速（18ns延迟，7ns/5ns开关）、强驱动（4A源/5A灌）、宽电压（4.5-20V）、高集成度和安全性（UVLO, 输入浮空保护）于一体。其DFN3x3-6小封装非常适合空间受限的设计。无论是升级旧有的分立驱动方案，还是在新设计中追求更高的开关效率和可靠性，SiLM27512EM-DG都是一个值得考虑的高性能、低成本解决方案。 #SiLM27512 #门极驱动器 #低边驱动 #非隔离驱动 0 本主题由 liuyongwangzi 于 2025-8-19 09:14 审核通过
2025-8-19 08:18:42　　评论淘帖0 举报相关推荐 • SiLM27511HAC-AQ 20V, 4A/5A单通道高欠压保护低边门极驱动器 758 • SLM27517AD-7G 20V, 4A/5A单通道高速低边门极驱动器 700 • SiLM27519AD-7G 20V, 4A/5A 灵活双输入，高速强驱的低边门极驱动器 960 • SiLM27531HAC-AQ 30V, 5A/5A单通道高欠压保护阈值的高速低边门极驱动器 772 • SiLM27517HAD-7G 20V, 4A/5A18ns单通道高欠压保护低边门极驱动器的核心优势 679 • 替代NCP81074单通道20V/10A低边高速驱动器兼容TTL/CMOS输入电平 1929 • SLM27526EN-DG 20V, 4.5A/5.5A双通道高速门极驱动器的性能解析与应用探索 692 • SiLM5350SABCA-DG 30V, 10A单通道隔离栅极驱动器 767 • SiLM27212系列170V 4A高低边门极驱动器简介 1932 • 数明半导体新推双通道30V, 5A/5A的高速低边门极驱动器 1109