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SiLM27517HAD-7G 20V, 4A/5A18ns单通道高欠压保护低边门极驱动器的核心优势

2025-11-19 08:40:33 391 门极驱动

SiLM27517HAD-7G 单通道高欠压保护低边门极驱动器，专为驱动MOSFET、IGBT及宽禁带半导体（如GaN）设计。核心优势在于18ns的极速传输延迟、4A/5A非对称驱动能力以及12.5V高阈值欠压保护，SOT23-5紧凑封装，为高频开关电源、工业电机驱动等场景提供了高可靠性解决方案。
一、特性：

类别	参数明细
驱动性能	4A峰值源电流 / 5A峰值灌电流（非对称设计）
开关速度	18ns传输延迟，9ns/6ns上升/下降时间
电源管理	13.5V~20V工作电压，12.5V/11.5V欠压锁定（UVLO）
逻辑兼容性	TTL/CMOS输入阈值，支持-5V抗干扰
封装与可靠性	SOT23-5封装，工作温度-40°C ~ 140°C

核心特性详解：

非对称驱动优化：5A灌电流大于4A源电流，重点强化关断过程，有效抑制米勒效应，避免桥臂直通。
高阈值UVLO：12.5V欠压保护点针对24V系统优化，防止电压跌落导致的功率管线性区损坏。
双输入设计：支持同相/反相配置，未使用的输入引脚可作为使能控制，简化外部逻辑电路。

二、优势
1.速度与效率的平衡
18ns延迟显著降低高频开关损耗，而9ns上升时间确保对GaN器件的精准控制。
2.高可靠性设计
12.5V UVLO为工业24V系统提供充足余量，避免因电网波动引发故障。
-5V负压耐受能力抑制寄生电感引起的电压振铃，提升抗噪声性能。
3.紧凑封装与成本优化
SOT23-5封装节省70%布局面积，替代分立推挽方案可减少BOM数量并提升生产一致性。
三、应用场景
1.工业电源与通信设备
2.新能源与汽车电子
3.电机驱动系统
4.宽禁带半导体驱动
SiLM27517HAD-7G通过极速开关、高可靠性保护与紧凑集成三重优势，解决了高频功率系统中的驱动痛点。其非对称驱动和12.5V UVLO等设计，体现了对实际应用场景的深度适配。

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