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求助，关于MC9S12C64 Flash Burner问题求解

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 MC9S12C64，CW V5.9.0，汇编程序编码。我正在尝试编写代码来擦除和烧录 Flash 中的一个扇区，但我似乎无法弄清楚。我花了几个小时研究 MC9S12C128V1 参考手册，但有些事情我并不清楚。我将从我理解的基础知识开始： RAM 从地址 0400 美元到地址 0FFF （3Kb）。 Unpaged Flash 的价格从 4000 美元到 7FFF （16Kb）不等。 Flash 擦除扇区大小为 1024 字节（512 字）我的程序中的可配置常量少于 1024 字节。它们被放置在 Flash 中，但在启动时复制到 RAM，以便从 RAM 中使用。我希望能够在 RAM 中更改其中一些值并将它们烧录回 Flash，而不必擦除所有内容并重新加载整个程序。我在 RAM 中有足够的空间容纳所有变量以及可配置常量的副本，因此 RAM 大小不是问题。我的整个程序不是那么大，因此我可以在 Flash 中将一个扇区专门用于这些可配置的常量，并且在未分页的 Flash 区域中仍为我的程序留出大量空间。 Flash 扇区是否具有特定地址，或者它们是否可以在未分页的 Flash 区域内的任何点开始和停止？为了安全起见，我是否可以将我的可配置常量放在 Flash 中，从 4000 美元到 4400 美元，并从 4500 美元开始我的程序？任何建议将不胜感激。 0 本主题由 Harmony技术专家于 2025-3-2 12:15 审核通过
2025-3-2 12:15:57　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × chm5 该类别下有 45 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 36 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 34 个回答。邀请回答 gdfffa 该类别下有 25 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 25 个回答。邀请回答 fdhsfagd 该类别下有 23 个回答。邀请回答 lifei639156 该类别下有 23 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 23 个回答。邀请回答艾玛该类别下有 22 个回答。邀请回答 dahairenlyy 该类别下有 22 个回答。邀请回答 fhbding 该类别下有 22 个回答。邀请回答一转十年该类别下有 21 个回答。邀请回答自我清欢该类别下有 21 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 21 个回答。邀请回答站着幻想该类别下有 21 个回答。邀请回答 xiaolu511 该类别下有 21 个回答。邀请回答秦小姐9048 该类别下有 21 个回答。邀请回答 zhang先生该类别下有 21 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 21 个回答。邀请回答幽默该类别下有 20 个回答。邀请回答举报发生的方式相关推荐 • 请问单片机S9G64CF0和S9S12G64F0一样吗？ 463 • 飞思卡尔MC9S12G128使用USBDM刷程序出错，求助！！ 4163 • 求MC9S12XET256写入和读取flash数据程序 12790 • 怎样才能得到“mc9s12g64.h”？ 474 • MC9S12XEP100系列EEPROM跟D-Flash区别是什么啊？ 8703 • MC9S12DP256具有哪些功能特点应用？ 1649 • MC9S12XEP100与MC9S12DP512两款区别 4435 • MC9S12XET128MAA 3424 • S9S12G128F0MLF和S9S12G64AMLF可以直接替换吗？ 438 • 哪些FPGA可以支持可以像MC9S12E128V1一样强大的微型光纤？ 1211 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 针对MC9S12系列Flash编程的核心问题，以下是分步解决方案：关键步骤解析 Flash操作前提条件代码必须在RAM中执行（Flash无法在自身编程时被读取）操作前关闭中断（SEI指令）确保总线时钟分频后Flash时钟在150-200kHz范围内寄存器配置流程 `; 配置时钟分频（假设总线频率8MHz） MOVB #$52, FCLKDIV ; 分频值=8MHz/150kHz≈53 → 52 (0x34) WaitClk: BRCLR FCLKDIV,#$80,WaitClk ; 等待时钟稳定` 扇区擦除流程 `EraseSector: MOVW #$0040, FCCOBIX ; 擦除命令字0x40 MOVW #TARGET_ADDR_HI, FCCOBHI ; 目标地址高字 MOVW #TARGET_ADDR_LO, FCCOBLO ; 地址低字必须对齐到1KB边界 BSET FSTAT,#$80 ; 启动命令（CCIF置位） WaitErase: BRCLR FSTAT,#$80,WaitErase ; 等待完成 BRSET FSTAT,#$70,Error ; 检查错误位` 编程写入流程 `ProgramWord: MOVW #$0020, FCCOBIX ; 编程命令字0x20 MOVW #DATA_HI, FCCOBHI ; 待写入数据高字节 MOVW #DATA_LO, FCCOBLO ; 数据低字节（必须是偶数地址） BSET FSTAT,#$80 ; 启动编程 WaitProgram: BRCLR FSTAT,#$80,WaitProgram BRSET FSTAT,#$70,Error ; 错误检测` 关键注意事项地址对齐擦除地址必须是1KB边界（如0x4000, 0x4400）编程地址必须2字节对齐（最低位为0） RAM执行强制要求 `ORG RAM_Start ; 确保代码在RAM中运行 JMP Main FlashOps: ; 此处放置擦除/编程代码 RTS Main: LDS #RAM_End ; 初始化堆栈 JSR FlashOps` 错误处理 `Error: BRSET FSTAT,#$10,AccErr ; ACCERR访问错误 BRSET FSTAT,#$20,Pviol ; FPVIOL保护冲突 ; 其他错误处理...` 调试建议使用逻辑分析仪监测FCCOB寄存器的写入时序在擦除后读取Flash内容是否变为0xFFFF 验证编程前是否已成功擦除目标区域检查FCLKDIV寄存器是否已解锁（最高位变1表示就绪）完整示例代码可参考飞思卡尔官方AN2459应用笔记中的HCS12 Flash编程模型。建议先擦除一个未使用的测试扇区，逐步验证每个操作阶段的寄存器状态。

2025-3-2 13:17:01 评论举报 h1654155216.9102