[问答]

最近推出了JFE150，这是一款面向低噪声应用的分立式 N 沟道 JFET

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 我们最近推出了 JFE150，这是一款面向低噪声应用的分立式 N 沟道 JFET。 JFE150 数据表产品信息和支持 JFE150 的一些主要规格：在 5mA 的 IDS 下，宽带噪声为8nV/rtHz 在较低漏源极电压下，栅极电流（最大值）为 10pA。栅极电流在大约 5V VDS 以上时为零，这会产生8fA/rtHz 的输入电流噪声 40V 栅源极击穿电压 24pF 输入电容 (VDS = 5V) 典型 IDSS 为 35mA，保证限值为 24mA 至 46mA 集成钳位二极管。如果不使用，可以将其悬空。低量采购则单价约为 2 美元，现可在 ti store 购买。为什么此器件不采用标准的 JFET 封装？答：我们添加了钳位二极管，并且必须适应这些二极管。钳位二极管对泄漏电流有何影响？答：我们在钳位电压设为 5V 和 -5V 的输入电流规格中测试栅极电流泄漏。总的来说，钳位二极管对电流泄漏的影响极小（二极管尺寸和泄漏比 JFET 小得多）。和许多其他音频 JFET 一样，似乎没有依照 Idss 对器件进行分级。答：正确，没有分级，所有 JFE150 都将使用 EC 表中列出的规格。是否有可用的模型？答：是的，PSPICE 模型：JFE150 PSpice 模型 TINA-TI 模型：JFE150 TINA-TI Spice 模型您将在此产品中提供哪些封装类型？答：SC70 和 SOT23 此产品是否提供双封装？答：是的，它将很快发布 SOIC 和 VSSOP 双封装选项如何对此产品进行原型设计？答：此器件可使用我们的 DIP 适配器 EVM 进行测试。 0 本主题由 ElecFans小喇叭于 2024-10-9 16:17 审核通过
2024-10-9 09:13:26　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 普罗旺斯的薰衣草该类别下有 48 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 48 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 46 个回答。邀请回答潘涛12345 该类别下有 39 个回答。邀请回答 lksas 该类别下有 37 个回答。邀请回答霍威电源该类别下有 36 个回答。邀请回答 fdhsfagd 该类别下有 36 个回答。邀请回答 wanglinhua2627 该类别下有 35 个回答。邀请回答 ggfx 该类别下有 35 个回答。邀请回答站着幻想该类别下有 35 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 35 个回答。邀请回答 kingnet6688 该类别下有 35 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 35 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 34 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 34 个回答。邀请回答 kghfh 该类别下有 33 个回答。邀请回答 huzp_bbs 该类别下有 33 个回答。邀请回答 lifei639156 该类别下有 33 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答深海零下一度1 该类别下有 32 个回答。邀请回答 wuli北该类别下有 32 个回答。邀请回答举报贾桂林相关推荐 • 请问分立式电阻、滤波、交流共模抑制和高噪声增益有什么不足之处？ 1280 • 请问如何利用ADIsimRF对零中频分立式发射机进行电平规划？ 1874 • 求推荐一款低噪声运放 3706 • PowerLab笔记：进行分立式设计的方法 1210 • TI支持XPIC的全双工IF收发器 1312 • 利用分立式IC对功率放大器进行监测与控制的讨论 2151 • 如何对基于Arduino的分立式数码管循环显示0~9设计进行仿真 1812 • 如何设计一款超小信号低噪声放大器（增益大小10dB） 1108 • 使用分立元器件设计低噪声放大器的要求与挑战有哪些？ 874 • 分享一款不错的2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计 1480 2个回答

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2024-10-9 16:16:25 评论举报张荣

答案对人有帮助，有参考价值 0 JFE150 是一款面向低噪声应用的分立式 N 沟道 JFET，其设计和特性使其在某些方面与传统的 JFET 不同。以下是一些可能的原因，为什么 JFE150 不采用标准的 JFET 封装： 1. 低噪声性能：JFE150 的设计重点在于提供低噪声性能，这可能需要特殊的封装技术来实现。例如，封装材料、结构和布局可能经过优化，以减少噪声和干扰。 2. 栅极电流：JFE150 在较低漏源极电压下的栅极电流非常低（最大值为 10pA），这可能需要特殊的封装设计来实现。例如，封装可能采用高阻隔材料，以减少栅极电流。 3. 输入电容：JFE150 的输入电容为 24pF，这可能需要特殊的封装设计来实现。例如，封装可能采用低电容材料，以降低输入电容。 4. 栅源极击穿电压：JFE150 的栅源极击穿电压为 40V，这可能需要特殊的封装设计来实现。例如，封装可能采用高耐压材料，以提高击穿电压。 5. 集成钳位二极管：JFE150 集成了钳位二极管，这可能需要特殊的封装设计来实现。例如，封装可能采用多引脚设计，以容纳钳位二极管。 6. 制造成本：JFE150 的单价约为 2 美元，这可能意味着其制造成本较高。采用特殊的封装设计可能会增加制造成本，但为了实现所需的性能和特性，这可能是必要的。 7. 市场需求：JFE150 可能针对特定的低噪声应用市场，这些应用可能需要特殊的封装设计来满足其性能要求。总之，JFE150 不采用标准的 JFET 封装可能是由于其设计和特性要求特殊的封装技术来实现低噪声性能、低栅极电流、低输入电容、高击穿电压和集成钳位二极管等功能。这些特殊要求可能导致制造成本较高，但为了满足特定应用的需求，这可能是必要的。

2024-10-11 17:54:43 评论举报李鸿