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DRV8811是一款由Texas Instruments生产的电机驱动器,用于控制一个H桥电机驱动器。在正确去耦至接地和V[M]时,DRV8811上的VGD及VCP电压应该满足以下条件才能正常运行:
1. VGD(Gate Drive Voltage):VGD是驱动器内部用于驱动MOSFET的电压。在DRV8811中,VGD的推荐值通常在10V至18V之间。确保VGD在推荐范围内可以确保MOSFET正常工作。 2. VCP(Charge Pump Voltage):VCP是DRV8811内部电荷泵产生的电压,用于生成开启高侧FET所需的电压。在DRV8811中,VCP的推荐值通常在10V至18V之间。确保VCP在推荐范围内可以确保高侧FET正常工作。 VGD的作用是为低侧和高侧MOSFET提供足够的驱动电压,以确保它们能够快速开关。在电机驱动器中,VGD对于实现高效率和低电磁干扰(EMI)至关重要。 为了确保DRV8811正常运行,请遵循以下步骤: 1. 确保VGD和VCP的电压在推荐范围内。 2. 为VGD和VCP提供适当的去耦电容,以减少噪声和电压波动。 3. 确保电源电压(V[M])在DRV8811的输入电压范围内。 4. 根据电机规格和应用需求,正确设置DRV8811的控制参数。 通过遵循这些步骤,您可以确保DRV8811在正确去耦至接地和V[M]时能够正常运行。 |
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