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想请教一个在应用时的问题,我们正在使用INA228产品做一些简易电池检测的应用,由于INA228自身没有防反接设计,我们尝试通过NMOS控制地的通断来实现防反接。但在实际设计中,我们注意到,仅仅将地进行分割是不够的,I2C及VS上也必须通过二极管或体二极管进行隔离。我们理解也可以测到MCU内部的Zener管路径,但不太明白INA228中为什么会有I2C或者VS正向对地的路径。 希望能得到你们的解答,感谢! |
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