STM32F429IGT6将flash配置为双bank，cpu经常坏掉，无法烧写的原因？

大家好！
STM32F429IGT6芯片有一个内部flash，大小为1MB，默认是1个bank，12个sector。
手册里有说，可以设置为双bank模式，即每个bank大小为512KB，每个bank有8个sector。

HAL_StatusTypeDef SetFlashDoubleBank(void)
{
        HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;
        //celar all flags
        __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR
                                                  | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);

        /* Wait for last operation to be completed */
        status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_WAIT_TIMEOUT_VALUE);
        if(status != HAL_OK)
                return HAL_ERROR;
        //1 UNLOCK
        if(HAL_FLASH_OB_Unlock() != HAL_OK)
        {
                return HAL_ERROR;
        }

        //2 SET DOUBLE BANK BIT
        FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_DB1M;

        //3 LAUNCH THE OPTION BTYES
        if(HAL_FLASH_OB_Launch() != HAL_OK)
        {
                return HAL_ERROR;
        }
        //4 LOCK
        if(HAL_FLASH_OB_Lock() != HAL_OK)
        {
                return HAL_ERROR;
        }

        return HAL_OK;
}


笔者使用这个函数将flash配置为双bank。但是问题来了，cpu经常坏掉，无法烧写，请大神们帮忙分析一下，如果在配置双bank时断电，会不会造成内部flash损坏？还有，如果内部flash损坏，将boot模式设置为ram启动，cpu能否启动？