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新型H桥驱动设计存在问题,请各路大神指正!!!! 如上图设计的H桥电路,设计没有采用自举电路,而是PMOS+NMOS方案,电压范围20-60V。 设计思路是:PWM1=脉冲信号,PWM2= 0,H1和L2同时导通/关闭,L1和H2关闭,电流路径Vbat->PQ401->M1+->M1-->NQ404->F401->MGND。同理,另一侧类似。好处是去除了自举电路,理论上该电路不会出现上下桥路导通情况,可大大提升电路的稳定性。 现在面临的问题是,电路无法正常工作,当PWM1=脉冲信号,PWM2= 0,就出现大电流短路现象,推测应该是某一侧的上下桥路同时导通。经过示波器检测,发现1、2处波形正常,波形如下图: 供电电压28V,其中,黄色波形为1处,蓝色波形为2处。 请教专家: 1、经过初步检测,H1信号驱动的PMOS出现发烫,但是此时L1信号是稳定的低电平,也即是NQ403这颗NMOS是截止的,为什么上臂的PMOS会发烫呢? 注:此时未接任何负载 后续测试仍在继续,劳请各路大神指正,积分不多,全部奉上,多谢啦! |
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5个回答
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PQ401是P型MOS管,S和D极设计错了。其内部的二极管正向导通了。
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5 条评论
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在M1+和M1-加上阻性负载,调节PWM,电流控制在1A左右,与自举电路H桥相比,这个上臂PQ401明显发热严重,但是各个节点的波形又看不出什么异常,很是奇怪....设计过流能力要在15A呢,这样的话这个电路根本无法使用...
过两天重新更换PMOS试一下吧》。。 |
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了解和分析您的情况,我不是一个电路设计专家,但我可以提供一些可能的原因和解决方案。
1. 您提到H1信号驱动的PMOS出现发热现象,这可能是因为PMOS在工作时有较大的功耗产生,导致发热。您可以检查PMOS的工作条件和参数是否符合要求,例如根据数据表中的最大额定功率进行选择和校验,以确保电路能够正常工作。 2. 关于出现大电流短路现象的问题,可能是由于某一侧的上下桥路同时导通导致的。这可能是由于信号的干扰或其他问题导致的。您可以考虑加入继电器或开关来确保上下桥路不会同时导通。 3. 您还可以检查电路连接和布局是否正确,例如检查电源和地线的连接是否正确,以及各个元件之间的连接是否良好。还可以使用示波器进行详细的信号测量,以查看是否存在异常波形或干扰信号。 总之,电路设计和故障排除是一个复杂的过程,需要综合考虑多种因素。如果您对电路设计和故障排除不熟悉,建议咨询和寻求专业电路设计工程师的帮助,以确保电路能够正常工作。 |
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