[问答]

STM32上下电内部flash被改写的原因？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 基于STM32F405系列一个64pin MCU，在使用过程中，整机掉电更换另一个部件，再上电后发现这个产品不工作了。发回厂家发现STM32内部flash数据被改写了，前几行被改成了0，导致程序无法正常启动。在厂家实验室，我们协助定位问题，反复多次上下电模拟现场场景，有概率在多个实验样品上复现了故障，平均上下电20~30次能出一次。也是内部flash被改写，被改写的位置不固定，但全是前几行，有的是1行，有的是12行，有的是123行，被改的地方全变成0。 0 本主题由 Harmony技术专家于 2024-3-25 11:18 审核通过
2024-3-25 08:24:58　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答江左盟该类别下有 32 个回答。邀请回答爱与友人该类别下有 32 个回答。邀请回答举报 ytrwv 相关推荐 • CC1101超出接收距离以后把单片机FLASH覆盖改写问题，请问是何原因导致接收的FLASH内容被改掉？ 1477 • STM32F407VG内部程序区域被修改了 3193 • stm32内部flash调试后，依然是可以檫写内部的flash的原因是什么？ 959 • STM32 96位序列号可以被改写吗？ 4415 • 如何使用STM32内部Flash额外的空间来存储数据? 1557 • stm32内部Flash加密使用单总线加密芯片容易被破解吗？ 4101 • emwin中写完stm32内部flash后对话框不断弹出的原因是什么？ 1563 • STM32f030内部的FLASH擦写时间是多少 3044 • STM32内部的FLASH有何功能呢 829 • 通过modbus向stm32内部flash里读写数据出错 5285 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 可能的原因有： 1. 静电放电：在更换部件时，可能发生了静电放电，导致对芯片进行了非预期的写操作。静电放电会导致芯片内部电压瞬间升高，触发写操作。 2. 电源波动：更换部件时，由于电源的不稳定性，可能会引起电压尖峰或波动，在此期间可能会对芯片进行非预期的写操作。 3. 电源噪声：电源噪声可能会干扰芯片内部的写操作，从而导致数据错误。 4. 程序bug：在程序的编写过程中，可能存在潜在的bug，可能会导致芯片内部flash被错误地写入。针对这些问题，可以进行一些调试和修复的措施： 1. 静电保护：在操作芯片时，使用静电防护措施，如使用防静电手套，在易产生静电的环境中处理芯片。 2. 电源稳定性：确保电源供应的稳定性，可以使用稳压器或电源滤波电路来减小电源的波动和噪声。 3. 程序检查：仔细检查程序代码，特别是与内部flash写入相关的代码，确保没有潜在的bug。 4. 引入故障排除机制：在产品设计中引入故障排除机制，例如在上电重置时，进行内部flash数据的校验，如果发现异常数据，则进行修复或恢复。 5. 功能测试：通过对多个实验样品的测试，进一步确定问题的发生概率和规律，以便更好地进行调试和修复。最后，建议与STM32芯片的厂家进行沟通，提供详细的故障现象和复现步骤，以便他们能够提供更具体的解决方案。

2024-3-25 17:51:10 评论举报戚歆敦