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本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
首先明确一点,这里说的UGS不能小于0不是说小于0是会出现什么问题,而是说小于0是它不工作。因为在实际电路中任何情况都是可能的。 N沟道增强型绝缘栅场效应管就是增强型NMOS。 先从NMOS的工作原理讲起: 对于增强型NMOS,绝缘层中没有电荷,所以栅不通电时,绝缘层下的沟道仍为P型半导体,而而NMOS的漏极和源极是N型的,则源极和漏极之间就相当于两个反接的二极管,这时源漏之间不管多大的电压也不能导通,没有导电沟道。 当栅加正电压时,绝缘层下的P衬底感应出电子,使栅下的P型半导体成为N型(这成为反型),而NMOS的漏极和源极也是N型的,所以当源漏之间有电压时就可以导电。 当栅上加负电压时,栅下的衬底感应出正电荷,这个区域仍为P型半导体,而NMOS的漏极和源极是N型的,则源极和漏极之间就相当于两个反接的二极管,这时源漏之间不管多大的电压也不能导通,除非击穿。 所以说UGS不能小于0 转载自http://cxtke.com/ |
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