求问：几种场效应管偏置电压Ugs的大小。

2012-8-22 01:31:44 3693

0 胡斌的《电子工程师必备元器件应用宝典》上讲到：对结型场效应管而言,栅极与源极之间应加反向偏置电压。对于绝缘栅场效应管而言,增强型和耗尽型而有所不同:对增加型管而言,栅极与源极间应采用正向偏置;对耗尽型管而言,栅极与源极之间可加正向、零、反向偏置。下面跟着出现一张图：（与上面矛盾啊）到底那样是正确的呢？可否补充P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管的Ugs大小呢？各位大侠帮帮忙啊？ 0 2012072315113537.jpg (22.47 KB, 下载次数: 5)
2012-8-22 01:31:44　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 场效应管控制电流大小的原理 1296 • 场效应管的偏置电路 6978 • 场效应管的型号-常用场效应管 198 • 场效应管的特点场效应管的使用优势 4778 • VMOS场效应管,VMOS场效应管是什么意思 3377 • VMOS场效应管,VMOS场效应管是什么意思 1459 • 场效应管（FET）,场效应管（FET）是什么意思 47395 • 场效应管知识什么叫场效应管场效应管工作原理 16343 • 场效应管 87 • 场效应管 0 1 个讨论

0 点一下，增强型与消耗型的区别。个人认为：对于N沟道，增强型与消耗型都是加正向偏值导通，而截至就有区别了，增强型加方向偏值或者0电压截至，消耗型一定是加反向电压。

2012-8-22 07:24:56 评论举报 1^# 闵同超