[问答]

绝缘栅场效应管的工作原理是什么？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS＝0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS＝0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。 0
2019-9-30 09:02:16　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × iuwwufjsd 该类别下有 6 个回答。邀请回答唯安an 该类别下有 6 个回答。邀请回答华秋商城该类别下有 6 个回答。邀请回答 xlong97 该类别下有 6 个回答。邀请回答 LiangQY0758 该类别下有 6 个回答。邀请回答 cmh12 该类别下有 6 个回答。邀请回答 xiaoge240 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user190 该类别下有 5 个回答。邀请回答 wei296 该类别下有 5 个回答。邀请回答 tutu10 该类别下有 5 个回答。邀请回答 chinaruto 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user79 该类别下有 5 个回答。邀请回答楼丞紫澈该类别下有 5 个回答。邀请回答 wang22222 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lingjianghui 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lgjmjx 该类别下有 5 个回答。邀请回答 qp_12 该类别下有 5 个回答。邀请回答 huazhe 该类别下有 5 个回答。邀请回答 oduwqoiud 该类别下有 5 个回答。邀请回答子璇ALICE 该类别下有 5 个回答。邀请回答举报刘珊宏相关推荐 • 结型场效应管和金属氧化物场效应管的分类 7795 • 场效应管具有什么特点？工作原理是什么？ 3994 • 场效应管概念 3955 • 场效应管的特性参数，怎么选用？有什么注意事项？ 2650 • 请问有互补对称场效应管工作原理图吗？ 1223 • 场效应管的驱动电压多少 14679 • 二极管三极管与晶闸管场效应管介绍 2382 • 功率场效应管有什么主要参数？ 2374 • MOSFET和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变 12928 • 场效应管的关断问题 20214 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 目录绝缘栅场效应管的结构和符号绝缘栅场效应管的工作原理绝缘栅场效应管的主要参数绝缘栅场效应管的结构和符号　　图1是N沟道增强型MOS管的结构示意图和符号。它是在一块P型硅衬底上，扩散两个高浓度掺杂的N+区，在两个N+区之间的硅表面上制作一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，然后在SiO2和两个N型区表面上分别引出三个电极，称为源极s、栅极g和漏极d。在其图形符号中，箭头表示漏极电流的实际方向。绝缘栅场效应管的工作原理　　绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS＝0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS＝0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。　　图2中衬底为P型半导体，在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝，如果在金属铝层和半导体之间加电压UGS，则金属铝与半导体之间产生一个垂直于半导体表面的电场，在这一电场作用下，P型硅表面的多数载流子-空穴受到排斥，使硅片表面产生一层缺乏载流子的薄层。同时在电场作用下，P型半导体中的少数载流子-电子被吸引到半导体的表面，并被空穴所俘获而形成负离子，组成不可移动的空间电荷层（称耗尽层又叫受主离子层）。UGS愈大，电场排斥硅表面层中的空穴愈多，则耗尽层愈宽，且UGS愈大，电场愈强；当UGS 增大到某一栅源电压值VT（叫临界电压或开启电压）时，则电场在排斥半导体表面层的多数载流子-空穴形成耗尽层之后，就会吸引少数载流子-电子，继而在表面层内形成电子的积累，从而使原来为空穴占多数的P型半导体表面形成了N型薄层。由于与P型衬底的导电类型相反，故称为反型层。在反型层下才是负离子组成的耗尽层。这一N型电子层，把原来被PN结高阻层隔开的源区和漏区连接起来，形成导电沟道。　　用图2所示电路来分析栅源电压UGS控制导电沟道宽窄，改变漏极电流ID 的关系：当UGS＝0时，因没有电场作用，不能形成导电沟道，这时虽然漏源间外接有ED电源，但由于漏源间被P型衬底所隔开，漏源之间存在两个PN结，因此只能流过很小的反向电流，ID ≈0；当UGS＞0并逐渐增加到VT 时，反型层开始形成，漏源之间被N沟道连成一体。这时在正的漏源电压UDS作用下；N沟道内的多子（电子）产生漂移运动，从源极流向漏极，形成漏极电流ID。显然，UGS愈高，电场愈强，表面感应出的电子愈多，N型沟道愈宽沟道电阻愈小，ID愈大。

2019-9-30 09:11:11 评论举报李兆水

答案对人有帮助，有参考价值 0 绝缘栅场效应管的主要参数　　Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。　　Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。　　Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。　　gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。　　BVDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. 　　PDSM—最大耗散功率。是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。　　IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。

2019-9-30 09:11:18 评论举报袁丹