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1个回答
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是的,驱动CMOS电路的反相器时需要设置死区时间,以防止PMOS管和NMOS管同时导通而引起短路和损坏。死区时间是指,在两个输入信号切换时,输出信号不发生变化的时间。一般情况下,死区时间需要根据所使用的PMOS管和NMOS管的参数来确定。具体的计算方法如下:
对于PMOS管和NMOS管来说,它们的开关时间差异较大,存在一定的延迟。因此,在两个输入信号切换时,需要等待一段时间,使得前一个管子关闭之后,才能使后一个管子导通,从而保证不会同时导通。这个时间就是死区时间。一般来说,死区时间需要根据PMOS管和NMOS管的参数来计算。具体的公式如下: t_dead = (t_rise + t_fall) × (1 + K) 其中,t_rise是PMOS管导通时间,t_fall是NMOS管导通时间,K是一个常数,通常取值在0.5~1之间。 对于使用STM32F103生成互补PWM来控制反相器的情况,根据需要的死区时间和PMOS管和NMOS管的参数,可以求解所需的占空比和PWM频率。具体的计算方法可以使用公式: PWM频率 = (2 × 死区时间) ÷ (t_rise + t_fall) 占空比 = ((t_rise + t_fall + 2 × 死区时间) ÷ PWM周期) × 100% 需要注意的是,实际应用时,应该合理选择死区时间和PWM频率,以保证反相器正常工作并提高整体系统的效率。 |
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